[发明专利]半导体用粘接膜、复合片及使用它们的半导体芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201210191649.7 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102709201A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 中村祐树;北胜勉;片山阳二;畠山惠一 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/29;C09J7/00;C09J179/08;C08G73/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 用粘接膜 复合 使用 它们 芯片 制造 方法 | ||
1.一种半导体用粘接薄膜在半导体芯片的制造方法中的应用，
所述半导体用粘接薄膜含有聚酰亚胺树脂，并且能够在100℃以下贴附于半导体晶片，所述聚酰亚胺树脂能够利用以总体的50质量％以上的比例含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐与以总体的30质量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应来得到，
式(II)中，R表示碳数为1～5的烷基、碳数为1～5的烷氧基、苯基或苯氧基，同一分子中的多个R可以相同或不同，n及m分别独立地表示1～3的整数，
所述半导体芯片的制造方法包括准备层叠体的工序，将半导体晶片、所述半导体用粘接薄膜以及切割胶带依次层叠，按照将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片，并且将所述半导体用粘接薄膜的厚度方向的至少一部分不切断而保留的方式，从所述半导体晶片侧形成切槽；
通过将所述切割胶带沿着使所述多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，而将所述半导体用粘接薄膜沿着所述切槽分割的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体用粘接薄膜在半导体芯片的制造方法中的应用，其中，
所述聚酰亚胺树脂的玻璃化温度为30℃以上、80℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体用粘接薄膜在半导体芯片的制造方法中的应用，其中，
所述半导体用粘接薄膜还含有热固化性成分及填充剂，
所述填充剂的含量相对于该半导体用粘接薄膜的质量小于30质量％。
4.根据权利要求1或2所述的半导体用粘接薄膜在半导体芯片的制造方法中的应用，其中，
所述二胺以总体的70质量％以上的比例含有由上述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺。
5.根据权利要求3所述的半导体用粘接薄膜在半导体芯片的制造方法中的应用，其中，
所述二胺以总体的70质量％以上的比例含有由上述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
