[发明专利]半导体用粘接膜、复合片及使用它们的半导体芯片的制造方法

说明书

本申请是200880009599.8(国际申请号：PCT/JP2008/056360)的分案申请，原申请的申请日为2008年3月31日，原申请的发明名称为半导体用粘接膜、复合片及使用它们的半导体芯片的制造方法

技术领域

本发明涉及半导体用粘接膜、复合片以及使用了它们的半导体芯片的制造方法。

背景技术

在将半导体芯片安装于支承部件上时，作为粘接半导体芯片和支承部件的管芯焊接(die bonding)材料，以往主要使用银膏(silver paste)。但是，随着半导体芯片的小型化·高性能化以及所使用的支承部件的小型化·精密化，在使用银膏的方法中，存在由于膏剂的渗出、半导体芯片的倾斜引起的引线接合(wire bonding)时的不佳状况的产生之类的问题变得日益明显。为此，近年来逐渐取代银膏而使用粘接膜(半导体用粘接膜)。

作为使用粘接膜获得半导体装置的方式，有单片贴附方式及晶片背面贴附方式。

在单片贴附方式中，从卷轴状的粘接膜中利用切割或冲孔切出单片，将该粘接膜的单片粘接在支承部件。借助粘接于支承部件上的粘接膜，将另外地利用切割工序单片化了的半导体芯片接合在支承部件。其后，根据需要经过引线接合工序、密封工序等得到半导体装置。但是，在单片贴附方式的情况下，由于需要用于将粘接膜以单片切出而粘接于支承部件上的专用的组装装置，因此与使用银膏的方法相比，有制造成本变高的问题。

在晶片背面贴附方式中，首先，在半导体晶片的背面依次贴附粘接膜及切割胶带。此后，将半导体晶片切割而分割为多个半导体芯片，并且将粘接膜随着各个半导体芯片切断。其后，将半导体芯片与层叠于其背面的粘接膜一起捡取(pick-up)，借助粘接膜将半导体芯片接合在支承部件。其后，再经过加热、固化、引线接合等工序而得到半导体装置。在晶片背面贴附方式的情况下，不需要用于将粘接膜单片化的组装装置，可以直接使用现有的银膏用组装装置，或者通过附加热盘等将装置的一部分改良而使用。由此，在使用了粘接膜的方法当中，作为能够将制造成本控制得比较低的方法而备受关注。

另一方面，近年来，作为将半导体晶片切割的方法，提出过如下的隐形切割(stealth dicing)方法：通过对半导体晶片照射激光而在半导体晶片内部选择性地形成改质部，并沿着改质部将半导体晶片切断(专利文献1、2)。该方法中，例如，通过拉伸切割胶带而对半导体晶片施加应力，从而沿着改质部将半导体晶片分割为多个半导体芯片。

专利文献1：日本特开2002-192370号公报

专利文献2：日本特开2003-338467号公报

在上述晶片背面贴附方式的情况下，在半导体晶片的切割之时需要将粘接膜也同时地切断。但是，如果利用使用了金刚石刀片的普通的切割方法将半导体晶片及粘接膜同时地切断，就会有在切断后的半导体芯片侧面中产生裂纹(芯片裂纹)、或在切断面中粘接膜形成毛口而产生很多毛刺(burr)的问题。如果存在该芯片裂纹或毛刺，则在捡取半导体芯片之时半导体芯片变得容易断裂，导致产品合格率降低。

所以，为了抑制芯片裂纹或毛刺的产生，本发明人等对如下的方法进行了研究，该方法包括：准备叠层体的工序，将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割胶带依次层叠，按照将半导体晶片分割为多个半导体芯片并且将半导体用粘接膜的厚度方向的至少一部分不切断而残留的方式，从半导体晶片侧形成切槽；通过将切割胶带沿着使多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，而将半导体用粘接膜沿着切槽分割的工序。

然而，在使用以往的半导体用粘接膜并利用上述方法进行切割时，明显会有难以将半导体用粘接膜沿着切槽完全地断开的问题。

另外，期待通过上述隐形切割在某种程度上抑制伴随着切割而产生的芯片裂纹或毛刺。但是，在采用通过激光加工在半导体晶片形成改质部后拉伸切割胶带来切割半导体晶片的方法的情况下，仅利用切割胶带的拉伸很难将半导体用粘接膜完全地断开，显而易见，由此可知得到高合格率的半导体芯片实际上是困难的。

此外，在使用形成了切槽的叠层体的方法或利用隐形切割的方法中，虽然通过在粘接膜中含有大量的填充剂，粘接膜容易断裂，可以在一定程度上抑制毛刺的产生，然而该情况下会有难以在低温下将粘接膜贴附在半导体晶片的问题。为了实现对由半导体晶片的翘曲或各部件的热过程引起的损伤的抑制等，最好能够将粘接膜在尽可能低的温度下贴附在半导体晶片。

发明内容