[发明专利]低电感电容器、装配其的方法和包含其的系统有效

专利信息
申请号: 201210191864.7 申请日: 2007-06-26
公开(公告)号: CN102723198A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: L·E·莫斯利;C·R·亨德里克斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01G4/38 分类号: H01G4/38;H01G4/232;H01G4/35
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;卢江
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电感 电容器 装配 方法 包含 系统
【说明书】:

本申请是申请日为2007年6月26日、申请号为200780024661.6、发明名称为“低电感电容器、装配其的方法和包含其的系统”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

实施例涉及用于处理器解耦及其它使用的电容器。

背景技术

电路往往包括用于各种用途的电容器,例如用于滤波、旁路、电源解耦以及执行其它功能。当供应给集成电路的电源采用物理上接近集成电路放置的电容器进行滤波时,高速数字集成电路、具体来说例如处理器和计算机芯片组呈现改进的性能。

这类电源解耦电容器起作用以消除供应给集成电路的电压的不规则性,因此用于向集成电路提供更理想的电压供应。

通过将解耦电容器放置在集成电路附近,寄生阻抗、如印刷电路板路径电阻或电感为最小,这允许简单有效地将能量从解耦电容器传递到集成电路。电容器本身中的串联电阻和电感的最小化对于同样目的也是合乎需要的,并且它产生更有效且合乎需要的解耦或旁路电容器。

电容器的内部串联电阻通常称作等效串联电阻ESR。类似地,内部串联电感称作等效串联电感ESL。对于给定电容器能测量这两种参数,并且它们属于选择用于例如集成电路电源供应解耦等的应用的电容器所使用的基本标准。

使ESL和ESR为最小的工作包括例如在各种配置中使用多种类型的电容器等的解决方案。

附图说明

为了说明获得实施例的方式,将参照附图示出的特定实施例来提供以上概述的实施例的更具体描述。要理解,这些附图仅说明典型实施例,它们不一定按比例绘制,因而不要看作是对其范围的限制,将通过使用附图以附加特性和细节来描述和说明这些实施例,附图包括:

图1A和图1B示出根据一个实施例的电容器的视图;

图2是根据一个实施例的电容器的部分的透视图;

图3是根据一个实施例的电容器的部分的透视图;

图4示出根据一个实施例的电容器封装的立视图;

图5示出根据一个实施例的电容器的视图;

图6A和图6B示出根据一个实施例的电容器的视图;

图7A、图7B和图7C示出根据一个实施例的电容器的视图;

图8A和图8B示出根据一个实施例的电容器的视图;

图9A和图9B示出根据一个实施例的电容器的视图;

图10是根据一个实施例、包括低电感电容器的封装的截面立视图;

图11是根据一个实施例、形成低电感电容器的方法说明;

图12是示出根据一个实施例的计算系统的切开的透视图;以及

图13是根据一个实施例的计算系统的示意图。

具体实施方式

本公开的实施例涉及用于集成电路(IC)封装的低电感电容器组件。实施例还涉及形成低电感电容器的方法。

以下描述包括例如上、下、第一、第二等的术语,它们仅用于进行描述而不是要理解为限制。本文所述的装置或物品的实施例能以多个位置和方向来制造、使用或装运。术语“管芯”和“芯片”一般指的是作为通过各种方法操作变换为预期集成电路装置的基本工件的物理对象。管芯通常从晶圆切割,而晶圆可由半导体、非半导体或者半导体和非半导体材料的组合来制成。底板通常是充当管芯的安装衬底的树脂浸渍玻璃纤维结构。

图1示出根据一个实施例的电容器的视图。

在图1A中,电容器第一结构101在充电和放电期间呈现第一特征电感。在一个实施例中,第一特征电感能表征为质中的“右手”并且具有给定量L,这表示感应了第一特征磁场。下文中,“第一特征电感”被理解为整体右手或左手其中之一。因此,“第二特征电感”必须一定为整体右手或左手中的另一个。因此,对于“相对”,这意味着,如果第一特征电感为右手,则第二特征电感为左手,反过来也是一样。因此,表示感应了与第一特征磁场相对的第二特征磁场。

电容器第一结构101包括第一电极110和第一电介质112、第二电极114和第二电介质116。为了便于说明,第一电极110和第二电极114表示为相互分离。第一电极110包括电源第一片109和电源第二片111。第二电极114包括地第一片113和地第二片115。

第一电极110和第二电极114如图1B所示来装配,并且描绘成不带相应电介质,使得在上层示出具有电源第一片109和电源第二片111的第一电极110,而仅以从下层显示的地第一片113和地第二片115示出第二电极114(图1A)。

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