[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成隔离部件；

在所述衬底上方形成第一栅叠层和第二栅叠层，其中，所述第一栅叠层基本上位于所述隔离部件的顶部；

对所述衬底实施预非晶化注入工艺；

形成与所述第一栅叠层的侧壁邻接的隔离件，其中，与所述第二栅叠层邻近的所述隔离件之一延伸超过所述隔离部件的边缘；

在所述衬底上方形成应力膜；以及

对所述衬底实施退火工艺；

去除所述应力膜。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在去除所述应力膜之后，去除所述隔离件。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

在去除所述隔离件之后，形成与所述第一栅叠层的侧壁邻接的栅极隔离件。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述栅极隔离件的宽度小于所述隔离件的宽度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在小于约500℃的温度下实施形成所述隔离件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在小于约500℃的温度下实施形成所述应力膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在实施所述退火工艺的步骤中，第一位错形成在所述第二栅叠层的源极/漏极(S/D)区中。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

去除所述衬底的多个部分，以形成与所述第二栅叠层的边缘邻近的凹槽，其中，去除步骤去除所述第一位错的上部，而保留所述第一位错的下部。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供其中具有隔离部件的衬底；

在所述衬底上方形成第一栅叠层、第二栅叠层、以及第三栅叠层，其中，所述第二栅叠层位于所述第一栅叠层和所述第三栅叠层之间并且位于所述隔离部件的顶部；

在所述衬底中形成与所述第一栅叠层的边缘邻近的非晶化区；

形成与所述第一栅叠层、所述第二栅叠层、以及所述第三栅叠层的侧壁邻接的隔离件，其中，与所述第二栅叠层的侧壁邻接的至少一个所述隔离件延伸超过所述隔离部件的边缘；

在所述第一栅叠层、所述第二栅叠层、所述第三栅叠层、以及所述非晶化区上方沉积应力膜；

实施退火工艺，使得所述非晶化区再结晶以形成位错；

去除所述应力膜；以及

去除所述隔离件。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供其中具有隔离部件的衬底；

在所述衬底上方形成第一栅叠层、第二栅叠层、以及第三栅叠层，其中，所述第二栅叠层位于所述第一栅叠层和所述第三栅叠层之间并且位于所述隔离部件的顶部；

在所述衬底中形成与所述第一栅叠层的边缘邻近的非晶化区；

形成与所述第一栅叠层、所述第二栅叠层、以及所述第三栅叠层的侧壁邻接的伪隔离件，其中，与所述第二栅叠层的侧壁邻接的至少一个所述隔离件延伸超过所述隔离部件的边缘；

在所述第一栅叠层、所述第二栅叠层、所述第三栅叠层、以及所述非晶化区上方沉积应力膜；

实施退火工艺，使得所述非晶化区再结晶以形成位错；

去除所述应力膜；

去除所述伪隔离件；

形成与所述第一栅叠层、所述第二栅叠层、以及所述第三栅叠层的侧壁邻接的栅极隔离件，其中，所述栅极隔离件的宽度小于所述伪隔离件的宽度；

在所述衬底中形成与所述第一栅叠层的所述栅极隔离件的边缘邻近的凹槽；以及

在所述凹槽中生长源极/漏极(S/D)部件。