[发明专利]包括多晶硅电阻器和金属栅极电阻器的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成第一栅极结构；

在邻近所述第一栅极结构的所述半导体衬底上方形成牺牲栅极结构；以及

形成覆盖所述第一栅极结构和所述牺牲栅极结构的介电层，其中，所述介电层在所述第一栅极结构的顶面上方具有第一厚度并且在所述牺牲栅极结构的顶面上方具有第二厚度，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

平坦化覆盖所述第一栅极结构和所述牺牲栅极结构的所述介电层，其中，通过平坦化去除所述牺牲栅极结构上方的所述介电层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述平坦化之间和之后，所述介电层的一部分保留在所述第一栅极结构的所述顶面上方。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一栅极结构和形成所述牺牲栅极结构包括：

形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上方形成掩模元件；以及

使用所述掩模元件蚀刻所述多晶硅层，以形成所述第一栅极结构和所述牺牲栅极结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第一栅极结构和形成所述牺牲栅极结构进一步包括：

沉积位于所述多晶硅层下方的栅极介电材料层；以及

使用所述掩模元件蚀刻所述栅极介电材料层，以形成所述第一栅极结构和所述牺牲栅极结构。

6.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

掺杂所述多晶硅层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述多晶硅层上方设置所述掩模元件的同时并且在蚀刻所述多晶硅层之前，实施掺杂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一厚度比所述第二厚度大至少约25纳米。

9.一种方法，包括：

提供具有第一表面的衬底；

在所述衬底中形成凹部，从而提供凹进区，所述凹进区具有所述第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面以一距离间隔开；

在所述第二表面上的凹部中形成多晶硅栅极结构；

在所述第一表面上方形成牺牲栅极结构；以及

形成覆盖所述多晶硅栅极结构和所述牺牲栅极结构的介电层。

10.一种方法，包括：

提供具有多晶硅层的衬底；

在所述多晶硅层中蚀刻凹部，以提供具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，所述第二厚度小于所述第一厚度；

在蚀刻所述多晶硅层之后，图案化所述多晶硅层，以形成第一栅极结构和第二栅极结构，其中，在所述多晶硅层的第一部分中形成所述第一栅极结构，并且在所述多晶硅层的第二部分中形成所述第二栅极结构；

去除所述第一栅极结构以形成开口；以及

在所述开口中形成金属栅极结构。