[发明专利]一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺在审
申请号: | 201210192588.6 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN102738016A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 郭小伟;崔梦;刘建军 | 申请(专利权)人: | 华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 框架 载体 aaqfn 产品 二次 塑封 制作 工艺 | ||
1.一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺,其特征在于:先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽,先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽,然后采用二次塑封的方法,具体制作工艺按照如下步骤进行:
第一步、晶圆减薄;晶圆减薄厚度为50μm~200μm,粗糙度Ra 0.10um~0.30um;
第二步、划片;
第三步、框架载体开孔;用钻孔或蚀刻的方法在框架载体上开孔,先在框架上面开稍小的孔,后在框架下方开稍大的孔,形成通孔;
第四步、采用粘片胶上芯;
第五步、压焊;
第六步、采用传统塑封料进行一次塑封;
第七步、后固化;
第八步、框架背面蚀刻凹槽;用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻,形成凹槽,深度控制在框架厚度的一半以内;
第九步、二次塑封;
第十步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。
2.根据权利要求1所述的一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺,其特征在于:所述的方法中的第二步中150μm以上的晶圆采用普通QFN划片工艺;厚度在150μm以下晶圆,采用双刀划片机及其工艺。
3.根据权利要求1所述的一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺,其特征在于:所述的方法中的第四步中上芯时采用的粘片胶可以用胶膜片(DAF)替换。
4.根据权利要求1所述的一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺,其特征在于:所述的方法中的第九步二次塑封中使用30~32um颗粒度的塑封料填充。
5.根据权利要求1所述的一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺,其特征在于:所述的方法中的第五步、第七步、第十步均与常规AAQFN工艺相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天科技(西安)有限公司,未经华天科技(西安)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210192588.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种夹具快速导向定位装置
- 下一篇:自清理残渣的镭射钻孔设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造