[发明专利]一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种扁平封装件，尤其是一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺，属于集成电路封装技术领域。

背景技术

集成电路是信息产业和高新技术的核心，是经济发展的基础。集成电路封装是集成电路产业的主要组成部分，它的发展一直伴随着其功能和器件数的增加而迈进。自20世纪90年代起，它进入了多引脚数、窄间距、小型薄型化的发展轨道。无载体栅格阵列封装(即AAQFN)是为适应电子产品快速发展而诞生的一种新的封装形式，是电子整机实现微小型化、轻量化、网络化必不可少的产品。

无载体栅格阵列封装元件，底部没有焊球，焊接时引脚直接与PCB板连接，与PCB的电气和机械连接是通过在PCB焊盘上印刷焊膏，配合SMT回流焊工艺形成的焊点来实现的。该技术封装可以在同样尺寸条件下实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、电性能以及共面性好等特点。

AAQFN封装产品适用于大规模、超大规模集成电路的封装。AAQFN封装的器件大多数用于手机、网络及通信设备、数码相机、微机、笔记本电脑和各类平板显示器等高档消费品市场。掌握其核心技术，具备批量生产能力，将大大缩小国内集成电路产业与国际先进水平的差距，该产品有着广阔市场应用前景。

但是由于技术难度等限制，目前AAQFN产品在市场上的推广有一定难度，尤其是在可靠性方面，直接影响产品的使用及寿命，已成为AAQFN封装件的技术攻关难点。

发明内容

为了克服上述现有技术存在的问题，本发明提供一种基于框架载体开孔的AAQFN产品的二次塑封制作工艺，使集成电路框架与塑封体结合更加牢固，不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性，并降低成本。

为了实现上述目的，本发明采用得技术方案是：先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，然后采用二次塑封的方法，具体制作工艺按照如下步骤进行：

第一步、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10um～0.30um；

第二步、划片；

第三步、框架载体开孔；用钻孔或蚀刻的方法在框架载体上开孔，先在框架上面开稍小的孔，后在框架下方开稍大的孔，形成通孔；

第四步、采用粘片胶上芯；

第五步、压焊；

第六步、采用传统塑封料进行一次塑封；

第七步、后固化；

第八步、框架背面蚀刻凹槽；用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；

第九步、二次塑封；

第十步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。

所述的方法中的第二步中150μm以上的晶圆采用普通QFN划片工艺；厚度在150μm以下晶圆，采用双刀划片机及其工艺。

所述的方法中的第四步中上芯时采用的粘片胶可以用胶膜片(DAF)替换；所述的方法中的第九步二次塑封中使用30～32um颗粒度的塑封料填充；所述的方法中的第五步、第七步、第十步、均与常规AAQFN工艺相同。

本发明的有益效果：发明采用的不同于以往的塑封工艺，框架背面的凹槽和框架载体正反两面分别设的孔，使塑封料填充时形成阶梯状防拖拉结构，采用二次塑封的方法在框架与一次塑封料、二次塑封料之间形成有效的防拖拉结构，大大降低封装件分层情况的发生几率，极大提高产品可靠性，优于传统AQQFN产品的塑封效果，工艺简单，方便操作，成本低。

附图说明

图1为本发明中引线框架剖面图；

图2为本发明中框架上方载体开孔后剖面图；

图3为本发明中框架下方载体开孔后剖面图；

图4为本发明中上芯后产品剖面图；

图5为本发明中压焊后产品剖面图；

图6为本发明中一次塑封后产品剖面图；

图7为本发明中框架背面蚀刻后产品剖面图。

图中：1-引线框架、2-粘片胶、3-芯片、4-键合线、5-塑封体、6-上通孔、7-下通孔、8-蚀刻凹槽。

具体实施方式

下面结合附图1-7和实施例对本发明做进一步说明，以方便技术人员理解。

实施例1

第一步、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为50μm，粗糙度Ra 0.10um；

第二步、采用双刀划片机及其工艺进行划片；

第三步、框架载体开孔；用钻孔或蚀刻的方法在框架载体上开孔，先在框架上面开稍小的孔，后在框架下方开稍大的孔，形成通孔；

第四步、采用粘片胶上芯；