[发明专利]湿式蚀刻设备及其供应装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于蚀刻的设备，尤其是指一种湿式蚀刻设备及其供应装置。

背景技术

目前半导体工艺中，例如晶圆、封装基板、封装结构或电路板等版面（pannel），均会使用蚀刻液清洗该版面的表面残留物，例如铜渣、胶渣、阻层等。一般清洗过程中，先利用蚀刻液移除版面的表面残留物，再以清洗液（如水）清洗该版面上的蚀刻液，最后再干燥该版面的表面。

图1A及图1B所示者，为现有电路板版面5进行蚀刻清洗工艺的上视与侧视示意图。如图所示，湿式蚀刻设备（图略）将蚀刻液3经输送管10送至多个呈数组排设的喷嘴11，以借由该些喷嘴11将蚀刻液3喷洒于该电路板版面5上。

然而，现有喷嘴11为固定式，也就是无法调整该喷嘴11的位置与个别运作该喷嘴11，所以该喷嘴11的设计需能喷洒蚀刻液3相当广的范围，以避免清洗不完全，但却因无法控制喷洒该蚀刻液3的输出量，致使无法对特定区域微蚀刻或选择性蚀刻，而导致无法针对微小区域的表面进行清洗，也无法针对产品特性变异进行高精度控制的选择性加工，以致无法满足提高蚀刻控制精细度的需求。

此外，现有湿式蚀刻设备中，该些输送管10及喷嘴11为均匀分布，且无法调整该些输送管10及喷嘴11的位置，又无法个别运作喷嘴11，所以无法针对该电路板版面5的特定区域进行精密区域性蚀刻作业。例如，无法对特定区域微蚀刻，导致无法清洗干净微小区域的表面残渣。因此，目前一般湿式蚀刻设备进行蚀刻作业时为整批全面性连续作业，而无法针对产品特性变异进行高精度控制的选择性加工，以致难以提高蚀刻控制精细度，因而影响到产品的特性能力的有效性与产品的产出良率。

因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种不足，本发明的主要目的在于提供一种湿式蚀刻设备及其供应装置，以控制该流体的输出量。

本发明的供应装置，通过于一如喷嘴的供应件外围盖设一调整件，该调整件具有相邻的信道与回收道，且该供应件穿设于该信道中，以使蚀刻液可由该信道输出，并令该回收道吸取部分由该信道输出的蚀刻液，以减少该蚀刻液的输出量。

前述的供应装置中，其可设于湿式蚀刻设备的机台上，且该机台具有定位件，供该供应件设置于该定位件上，以借该定位件带动该供应件与调整件至所需的位置。

另外，该机台具有可程序逻辑控制系统，以操控该定位件的运作、蚀刻液的运动或该回收道的运作。

由上可知，本发明的湿式蚀刻设备及其供应装置，借由该回收道的设计，使该调整件能控制喷洒蚀刻液的输出量，也就是能控制喷洒蚀刻液的范围，以对特定区域微蚀刻或选择性蚀刻，而能对微小区域的表面进行清洗，且能对产品特性变异进行高精度控制的选择性加工，所以可提高该湿式蚀刻设备的精密蚀刻的能力，以达成高良率及高特性能力的需求。

此外，该机台借由定位件以带动该供应件与调整件至所需的位置，且借由可程序逻辑控制系统，以个别运作该供应件，所以能对各版面的特定区域进行精密区域性蚀刻作业。因此，于整批版面全面性连续作业时，可依需求针对产品特性变异进行高精度控制的选择性加工，以提高蚀刻控制精细度。

附图说明

图1A为现有电路板版面进行蚀刻清洗工艺的上视示意图；

图1B为现有电路板版面进行蚀刻清洗工艺的侧视示意图；

图2A为本发明供应装置的侧剖视示意图；

图2B为本发明供应装置的调整件的上视示意图；以及

图3A至图3C为本发明湿式蚀刻设备的不同实施例的上视示意图。

主要组件符号说明

10            输送管

11            喷嘴

2,2’,2”     湿式蚀刻设备

2a            供应装置

20            定位件

21            供应件

21a,21b       供应单元

22            调整件

220           信道

221           回收道

3             蚀刻液

5             电路板版面

h             高度差

x             横向移动

y             纵向移动。

具体实施方式