[发明专利]半导体封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210195891.1 申请日: 2012-06-14
公开(公告)号: CN103367180A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 潘玉堂;周世文 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈亮
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构的制作方法,包括:

形成一图案化线路层于一金属承载板上,其中该金属承载板的材质不同于该图案化线路层的材质,且该图案化线路层包括多条线路,各该线路具有一第一端部以及延伸自该第一端部的一第二端部;

以覆晶的方式接合至少一芯片于该金属承载板上,其中该芯片配置有多个凸块,且该多个凸块与该图案化线路层的该多条线路的该多个第一端部电性连接;

形成一封装胶体于该金属承载板上,以覆盖该芯片、该多个凸块、该图案化线路层以及部分该金属承载板;

进行一选择性蚀刻步骤,以完全移除该金属承载板,至暴露出该图案化线路层的一下表面与该封装胶体的一底表面;

形成一第一绝缘层于该图案化线路层的该下表面上与该封装胶体的该底表面上,其中该第一绝缘层具有多个暴露出该图案化线路层的该多条线路的该多个第二端部的第一开口;以及

形成多个外部连接端子于该多个第一开口中,该多个外部连接端子与该第一绝缘层所暴露出的该多条线路的该多个第二端部电性连接。

2.如权利要求第1项所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,该金属承载板的材质包括铜。

3.如权利要求第1项所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,该图案化线路层的材质包括金或钯。

4.如权利要求第1项所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,形成该多个外部连接端子的步骤,包括:

形成一导电材料层于该第一绝缘层上,其中该导电材料层填满该多个第一开口且覆盖部分该第一绝缘层,该导电材料层与该第一绝缘层所暴露出的该多条线路的该多个第二端部电性连接;

形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上,其中该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层与位于该第一绝缘层上的部分该导电材料层;

于该第二绝缘层中形成多个第二开口,其中该多个第二开口暴露出部分该导电材料层;以及

设置多个焊球于该多个第二开口内,其中该多个焊球与该多个第二开口所暴露出的部分该导电材料层电性连接,而形成该多个外部连接端子。

5.如权利要求第4项所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,该导电材料层为一重配置线路层,该重配置线路层具有一第一部分与一远离该第一部分的第二部分,该重配置线路层的该第一部分填充该多个第一开口并与该图案化导电层的该多条线路的该多个第二端部电性连接,而该多个第二开口暴露出该重配置线路层的部分该第二部分,该多个焊球与该多个第二开口所暴露出的该重配置线路层的部分该第二部分电性连接。

6.如权利要求第4项所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,更包括:

设置该多个焊球之前,形成多个球底金属层于该多个第二开口中,其中该多个球底金属层与该多个第二开口所暴露出的部分该导电材料层电性连接。

7.如权利要求第1项所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,形成该多个外部连接端子的步骤,包括:

以该绝缘层为一电镀罩幕,电镀该多个外部连接端子于该多个第一开口内,其中各该外部连接端子的一第一表面与该第一绝缘层的一第二表面切齐,且该多个外部连接端子包括多个信号接点。

8.如权利要求第1项所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,于形成该多个外部连接端子之后,对该封装胶体以及该第一绝缘层进行一切割步骤,以形成至少一半导体封装结构。

9.一种半导体封装结构,包括:

一图案化线路层,具有彼此相对的一上表面与一下表面,且该图案化线路层包括多条线路,各该线路具有一第一端部以及延伸自该第一端部的一第二端部;

一芯片,配置于该图案化线路层的该上表面上,该芯片具有多个凸块,并藉由该多个凸块与该图案化线路层的该多条线路的该多个第一端部电性连接;

一封装胶体,覆盖该图案化线路层、该多个凸块与该芯片,其中该图案化线路层的该下表面与该封装胶体的一底表面切齐;

一绝缘层,配置于该图案化线路层的该下表面与该封装胶体的该底表面上,且该绝缘层具有多个暴露出该图案化线路层的该多条线路的该多个第二端部的开口;以及

多个外部连接端子,配置于该绝缘层的该多个开口中且与该绝缘层所暴露出的该多条线路的该多个第二端部电性连接,其中各该外部连接端子的一第一表面与该绝缘层的一第二表面切齐,且该多个外部连接端子包括多个信号接点。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南茂科技股份有限公司,未经南茂科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210195891.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top