[发明专利]发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：

提供组接框，该组接框包括导线架、围设于该导线架内、与导线架间隔设置且相互间隔的若干电极结构、连接电极结构与导线架的支架及若干收容部，该电极结构包括自其凸设的第一插设部及第二插设部；

提供基板，该基板具有若干通孔、若干凸伸部及容置部；

组装结合基板与组接框，使得基板的通孔位于第一插设部及第二插设部的两侧，基板的凸伸部对应收容于组接框的收容部，基板的容置部对应收容第一插设部及第二插设部；

提供发光芯片，并将发光芯片电性连接至电极结构并使发光芯片收容至通孔的底部；

切割第一插设部及第二插设部，使得该第一插设部及第二插设部的一侧面外露于该电极结构的一侧表面。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述每一电极结构包括间隔设置的一第一电极层及一第二电极层，所述第一插设部自与其相连的第一电极层顶面的左侧中部向上凸伸形成，所述第二插设部自与其相连的第二电极层顶面右侧中部向上凸伸形成。

3.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一插设部及第二插设部沿所述顶面垂直向上延伸的高度分别大于第一电极层及第二电极层的厚度。

4.如权利要求3所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一插设部及第二插设部均为长方体凸块。

5.如权利要求4所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一插设部的左侧面与第一电极层的左侧面平行共面，且其自左侧面向右水平延伸的宽度小于第一电极层自左侧面向右水平延伸的宽度，所述第二插设部的右侧面与第二电极层的右侧面平行共面，且其自右侧面向左水平延伸的宽度小于第二电极层自右侧面向左水平延伸的宽度。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述通孔内形成有覆盖发光芯片的荧光层。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述基板还包括隔挡部，所述隔挡部用以间隔电极结构的第一电极层及第二电极层。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述隔挡部位于通孔的底部，并连接通孔的相对两端。

9.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述基板由硅树脂、硅酮、环氧树脂或者聚合体材料制成。

10.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一插设部及第二插设部相互靠近的两侧之间具有间隔部。