[发明专利]鳍式场效应晶体管（FINFET）器件的切割掩模图案化工艺

权利要求书

1.一种用于以非矩形图案对多个部件进行图案化的方法，所述方法包括：

提供包括具有多个伸长凸起的表面的衬底，伸长凸起在第一方向上延伸；

在所述表面的上方和所述多个伸长凸起的上方形成第一层；

利用端部切割掩模对所述第一层进行图案化，所述端部切割掩模包括两个紧邻的图案，亚分辨率部件被定位并配置为使得所述第一层上的合成图案包括所述两个紧邻的图案和位于它们之间的连接部分；

使用所述第一层上的图案切割所述伸长凸起的端部。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个部件是鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个部件是沟槽。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述第一层之前，在所述表面的上方和所述多个伸长凸起的上方形成第二层；

利用线切割掩模对所述第二层进行图案化；

使用所述第二层上的图案去除所述伸长凸起的子集。

5.一种方法，包括：

提供包括具有第一层和第二层的表面的衬底；

在所述第一层和所述第二层上方的第三层中形成第一伸长凸起、第二伸长凸起和第三伸长凸起；

在三个伸长凸起的上方形成第一图案化层；

蚀刻这三个伸长凸起以形成第一图案，所述第一图案去除所述第二伸长凸起相对较大的部分以及所述第一伸长凸起和所述第三伸长凸起相对较小的部分，从而通过较大部分和较小部分形成一个区域；

在伸长凸起的所述第一图案的上方形成第二图案化层，第二图案包括位于所述区域上方的至少两个分离的矩形子图案；以及

蚀刻在所述区域中延伸的所述第一伸长凸起和所述第三伸长凸起的端部。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述多个伸长凸起在第一方向上延伸，并且所述第二图案化层被配置成为在垂直于所述第一方向的方向上对所述伸长凸起进行端部切割。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二图案包括位于所述区域上方的三个分离的矩形子图案。

8.一种用于具有限定分辨率的光刻系统的掩模组，所述掩模组包括第一掩模和第二掩模，所述第一掩模包括：

第一图案区域和第二图案区域，大于所述限定分辨率，其中，所述第一图案区域的部分和所述第二图案区域的部分被定位为相互接近并通过相交区域分隔；

亚分辨率部件，位于所述第一图案区域和所述第二图案区域之间以及所述相交区域之中；

其中，所述亚分辨率部件的大小和形状以及所述相交区域的大小使得当在所述光刻系统中使用掩模时，所得到的图案包括通过所述相交区域相互互连的所述第一图案区域和所述第二图案区域。

9.根据权利要求8所述的掩模组，其中，所述第二掩模包括：

第三图案区域，形状与所述第一图案区域和所述第二图案区域以及所述相交区域的组合形状类似。

10.根据权利要求9所述的掩模组，其中，所述第二掩模用于对多个鳍进行线切割，并且所述第一掩模用于对所述多个鳍进行端部切割。