[发明专利]一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210199801.6 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102719792A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李文英;尹桂林;张柯;姜新来;钟建;余震;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 运用 磁控溅射 法制 透明 导电 薄膜 方法 | ||
1.一种利用磁控溅射法制备Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜的方法，其特征在于：将清洗干净的基片置于磁控溅射腔内，利用磁控溅射方法在纯氩气气氛下依次溅射Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到电阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法按以下步骤进行：
(1)基片依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，之后用99.99%的氮气吹干；
(2)用含Cu量为0.5%~2.5%的ZnCuO陶瓷靶作为Zn1-xCuxO薄膜沉积的溅射靶；
(3)用99.99%的高纯Cu靶作为Cu薄膜沉积的溅射靶；
(4)对磁控溅射腔抽真空；
(5)保持基片温度为室温，调节基片与靶材的距离；
(6)ZnCuO靶采用射频溅射；Cu靶采用直流溅射；
(7)Zn1-xCuxO膜和Cu膜均在纯氩气气氛中制得。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述Zn1-xCuxO膜的厚度为40～70nm，所述Cu膜厚度为8～30nm。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述（1）中，超声清洗时间为10min。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述（4）中，对磁控溅射腔抽真空，使其真空度小于1.0×10-4Pa.
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述（5）中，调节基片与靶材的距离为10～20cm。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述（6）中，ZnCuO靶采用射频溅射，其中溅射功率为30W，溅射时间为30～60min。
8.根据权利要求2或7所述的方法，其特征在于，所述（6）中，Cu靶采用直流溅射，溅射功率为80W，溅射时间为10～90s。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述（7）中，纯氩气的纯度为99.99%以上，气体压强为0.8～1.6Pa。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述基片选用玻璃片。
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