[发明专利]半导体器件设计方法、系统和计算机可读介质

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地来说，涉及半导体器件设计方法、系统和计算机可读介质。

背景技术

近来使集成电路(IC)小型化的趋势产生了比以前更小的器件，这种更小的器件消耗更少功率并且以更快的速度提供更多功能。小型化工艺还产生了更加严格的设计和制造规格。进行预加工检查和测试以确保可以制造半导体器件并且将以所设计的进行工作。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种通过至少一个处理器执行的半导体器件设计方法，所述方法包括：从半导体器件的布局中提取第一电子部件和第二电子部件，所述半导体器件具有半导体衬底以及位于所述半导体衬底中的所述第一电子部件和所述第二电子部件；使用第一工具提取所述第一电子部件和所述第二电子部件之间的所述半导体衬底中的耦合件的寄生参数；使用第二工具提取所述第一电子部件和所述第二电子部件的固有参数，所述第二工具不同于所述第一工具；以及将所提取的寄生参数和固有参数组合到所述半导体器件的模型中；其中，基于所述第二工具所包括的所述耦合件的模型来提取所述耦合件的寄生参数。

在该方法中，基于所述第一电子部件和所述第二电子部件之间的距离提取所述耦合件的所述寄生参数。

该方法还包括：通过所述第一工具确定所述第一电子部件和所述第二电子部件之间的距离。

该方法还包括：修改所述第一工具的技术文件，以包括所述第二工具所包括的所述耦合件的模型；其中，所述第一工具使用修改的技术文件来提取所述耦合件的寄生参数。

该方法还包括：通过所述第一工具确定所述第一电子部件和所述第二电子部件之间的距离；将来自所述第一工具的确定距离输入到所述第二工具包括的所述耦合件的模型中；使用输入的距离和所述耦合件的模型，通过所述第二工具计算所述耦合件的寄生参数。

在该方法中，所述耦合件的模型是侧重于集成电路的模拟程序(SPICE)模型。

在该方法中，所述半导体器件的模型是SPICE模型。

在该方法中，所述第二工具基于电子部件的SPICE模型提取所述第一电子部件和所述第二电子部件中的每一个的固有参数。

该方法还包括：使用所述半导体器件的模型以及所提取的寄生参数和固有参数来执行后布局模拟，以确定所述半导体器件的布局是否满足预定规范。

在该方法中，所述耦合件的寄生参数包括寄生电阻和寄生电容。

在该方法中，每个电子部件的固有参数都包括电阻、电感和电容。

在该方法中，所述第一工具是电阻-电容(RC)提取工具，其确定所述第一电子部件和所述第二电子部件之间的距离并基于确定的距离提取所述耦合件的寄生参数；以及通过布局与原理图比较(LVS)提取工具来提取所述第一电子部件和所述第二电子部件，其中，所述LVS提取工具在确定所述第一电子部件和所述第二电子部件之间的距离方面没有所述RC提取工具精确。

在该方法中，所述第一电子部件和所述第二电子部件包括半导体通孔(TSV)。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体器件设计系统，包括至少一个处理器，所述至少一个处理器被配置成限定电阻-电容(RC)提取工具，所述RC提取工具用于确定从半导体器件的布局中提取的第一半导体通孔和第二半导体通孔之间的距离，所述半导体器件具有半导体衬底以及位于所述半导体衬底中的所述第一半导体通孔和所述第二半导体通孔；以及基于通过所述RC提取工具确定的距离以及模拟工具包括的耦合件的模型来提取所述耦合件的寄生参数。

在该系统中，所述RC提取工具包括被修改以包括所述模拟工具包括的所述耦合件的模型的技术文件。

在该系统中，所述至少一个处理器进一步被配置成限定将所述第一半导体通孔和所述第二半导体通孔之间的确定距离从所述RC提取工具输入所述模拟工具，以及基于所输入的距离和所述耦合件的模型，将通过所述模拟工具计算的提取寄生参数返回所述RC提取工具。

在该系统中，所述至少一个处理器被进一步配置成限定所述模拟工具，所述模拟工具进一步包括用于所述第一半导体通孔和所述第二半导体通孔中的每一个的模型，基于对应的模型提取所述第一半导体通孔和所述第二半导体通孔的固有参数，以及使用所述第一半导体通孔、所述第二半导体通孔和它们之间的耦合件的模型以及提取的寄生参数和固有参数执行后布局模拟，以确定所述半导体器件的布局是否满足预定规范。