[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201210200200.2 | 申请日: | 2003-03-07 |
公开(公告)号: | CN102709493A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;村上雅一;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 汤春龙;朱海煜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造发光器件的方法,所述方法包括:
在第一衬底上形成第一电极;
通过涂敷方法在所述第一电极上形成包含有机化合物的膜;
通过等离子腐蚀选择性地腐蚀包含所述有机化合物的所述膜;
在包含所述有机化合物的所述膜上选择性地形成第二电极。
2.一种制造发光器件的方法,所述方法包括:
在第一衬底上形成第一电极;
通过涂敷方法在所述第一电极上形成包含有机化合物的膜;
在包含所述有机化合物的所述膜上选择性地形成第二电极;
通过等离子腐蚀选择性地腐蚀包含所述有机化合物的所述膜。
3.根据权利要求1或2所述的制造发光器件的方法,其中,包含所述有机化合物的层包含发白色光的材料,并且包含所述有机化合物的所述层与提供在第二衬底处的滤色器组合。
4.根据权利要求1或2所述的制造发光器件的方法,其中,包含所述有机化合物的层包含发射单色光的材料,并且包含所述有机化合物的所述层与至少提供在所述第二衬底处的颜色改变层和成色层组合。
5.根据权利要求1或2所述的制造发光器件的方法,其中,提供在所述第二电极上的所述第一衬底与第二衬底之间的间距为2-30微米。
6.一种制造发光器件的方法,所述方法包括:
在第一衬底上形成薄膜晶体管;
形成连接到所述薄膜晶体管的第一电极;
形成覆盖所述第一电极的端部的绝缘物质;
在所述绝缘物质上形成包含金属材料的第三电极;
通过涂敷方法在所述第一电极上形成包含有机化合物的膜;
借助于等离子体腐蚀利用掩模选择性地腐蚀包含所述有机化合物的所述膜而暴露所述第三电极;
在包含所述有机化合物的所述膜上选择性地形成包含具有透光性能的材料的第二电极;
形成保护膜。
7.根据权利要求1、2和6中任一项所述的制造发光器件的方法,其中,包含所述有机化合物的所述膜包含聚合物。
8.根据权利要求1、2和6中任一项所述的制造发光器件的方法,其中,所述涂敷方法是甩涂方法。
9.根据权利要求1、2和6中任一项所述的制造发光器件的方法,其中,在所述第一电极上形成包含所述有机化合物的所述膜之后,在真空中加热通过涂敷方法在所述第一电极上形成的包含所述有机化合物的所述膜。
10.根据权利要求6所述的制造发光器件的方法,还包括:
将所述第一衬底与第二衬底贴在一起。
11.根据权利要求6所述的制造发光器件的方法,
其中,所述保护膜是主要成分是氧化硅的绝缘膜,主要成分是氮化硅的绝缘膜,主要成分是碳的膜,或这些膜的叠层膜。
12.根据权利要求1或2所述的制造发光器件的方法,其中,所述第一电极是电连接到薄膜晶体管的发光元件的阳极或阴极。
13.根据权利要求6所述的制造发光器件的方法,其中,所述第一电极是电连接到所述薄膜晶体管的发光元件的阳极或阴极。
14.根据权利要求1、2和6中任一项所述的制造发光器件的方法,其中,借助于激发选自Ar、H、F、O构成的组中的一种或多种气体而产生等离子体。
15.根据权利要求6所述的制造发光器件的方法,
其中,包含所述有机化合物的层包含发白色光的材料,并且包含所述有机化合物的所述层与提供在第二衬底处的滤色器组合。
16.根据权利要求6所述的制造发光器件的方法,
其中,包含所述有机化合物的层包含发射单色光的材料,并且包含所述有机化合物的所述层与至少提供在第二衬底处的颜色改变层和成色层组合。
17.根据权利要求10所述的制造发光器件的方法,
其中,提供在所述第二电极上的所述第一衬底与所述第二衬底之间的间距为2-30微米。
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