[发明专利]包含阻障件抛光停止层的集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造集成电路的方法，包含：

在半导体装置上方沉积层间介电层；

在该层间介电层上方沉积阻障件抛光终止层；

图案化至少该阻障件抛光终止层及该层间介电层，以在其中创造多个蚀刻特征；

在该阻障件抛光终止层上方镀覆进入该多个蚀刻特征的金属，以产生上覆该阻障件抛光终止层的金属过载、及在该层间介电层及阻障件抛光终止层中产生多个导电互连特征；以及

抛光该集成电路，以去除该金属过载及暴露该阻障件抛光终止层。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包含在该阻障件抛光终止层上方沉积盖层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，图案化包含图案化至少该盖层、该阻障件抛光终止层及该层间介电层，以在其中创造多个蚀刻特征；并且其中，抛光包含抛光该集成电路，以去除该金属过载及该盖层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积阻障件抛光终止层包含通过在抛光期间沉积材料以在该层间介电层上方形成阻障件抛光终止层，该材料的去除率小于该盖层的去除率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，抛光包含化学机械平坦化该集成电路，以去除该金属过载及一部分该阻障件抛光终止层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，化学机械平坦化包含化学机械平坦化该集成电路，以从该阻障件抛光终止层去除少于大约10纳米厚度的该金属过载。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在该层间介电层上方沉积阻障件抛光终止层包含沉积厚度介于大约10纳米至大约30纳米的阻障件抛光终止层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积阻障件抛光终止层包含通过沉积材料以在该层间介电层上方形成阻障件抛光终止层，该材料选自由超低介电系数材料及含氧化物材料所组成的群组。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积阻障件抛光终止层包含通过沉积材料以在该层间介电层上方形成阻障件抛光终止层，该材料的碳含量大于大约百万分之150。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，沉积该阻障件抛光终止层包含通过沉积材料以在该层间介电层上方形成阻障件抛光终止层，该材料的碳含量小于大约百万分之300。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，沉积阻障件抛光终止层包含利用包含甲基二乙氧基硅烷的前驱物材料以在该层间介电层上方形成阻障件抛光终止层。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，在该层间介电层上方形成阻障件抛光终止层包含利用包含甲基二乙氧基硅烷的前驱物材料以在该层间介电层上方形成阻障件抛光终止层，该甲基二乙氧基硅烷以选择的致孔剂加以沉积。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包含于抛光该集成电路以去除该金属过载及暴露该阻障件抛光终止层后，在该阻障件抛光终止层上方形成蚀刻终止层。

14.一种制造集成电路的方法，包含：

提供部分制作的集成电路，该集成电路包含半导体装置、上覆该半导体装置的层间介电层、上覆该层间介电层的盖层、及位于该层间介电层与该盖层间的阻障件抛光终止层；

形成多个通过该盖层、该阻障件抛光终止层及该层间介电层的接触开孔；

在该盖层上方镀覆进入该多个接触开孔的铜，以产生上覆该盖层的铜过载、以及产生多个延伸通过该盖层、该阻障件抛光终止层及该层间介电层的铜接触；以及

对该部分制作的集成电路实施化学机械平坦化工艺，以去除该铜过载、该盖层及一部分该阻障件抛光终止层，但保留大部分该阻障件抛光终止层及整个该层间介电层不被处理。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，对该集成电路实施化学机械平坦化工艺包含：

使用第一抛光平台去除该铜过载的整体；

使用第二抛光平台清除该盖层上方任何剩余铜过载；以及

使用第三抛光平台去除该盖层、一部分该铜接触、及一部分阻障件抛光终止层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，去除该盖层、一部分该铜接触、及一部分阻障件抛光终止层包含使用第三抛光平台去除该盖层、一部分该铜接触、及从阻障件抛光终止层去除少于10纳米厚度。