[发明专利]具有介电隔离沟槽的横向MOSFET

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有第一导电性的衬底，所述衬底包括埋在所述衬底中的绝缘层；

形成在所述衬底中的具有第二导电性的体区域；

形成在所述衬底中的隔离区；

形成在所述体区域中的具有所述第一导电性的第一有源区；

形成所述衬底中的具有所述第一导电性的第二有源区，其中所述第一有源区和所述第二有源区形成在所述隔离区的相对侧；

漂移区，包括：

形成在所述第二有源区和所述绝缘层之间的具有所述第一导电性和第一掺杂密度的第一漂移区；和

形成在所述隔离区和所述绝缘层之间的具有所述第一导电性和第二掺杂密度的第二漂移区；

形成在所述衬底上方的第一介电层；以及

形成在所述第一介电层上方的栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层形成在所述栅极与所述第一有源区之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一导电性为N型；以及

所述第二导电性为P型。

4.一种器件，包括：

埋在具有第一导电类型的衬底中的绝缘层；

形成在所述绝缘层上方的具有所述第一导电类型的漂移区；

形成所述漂移区上方的隔离区；

形成在所述漂移区上方的具有所述第一导电类型的漏极区；

形成所述衬底中的具有第二导电类型的体区域；

形成在所述体区域中的具有所述第一导电类型的源极区，其中所述源极区和所述漏极区形成在所述隔离区的相对侧；以及

邻近所述源极区形成的栅极。

5.根据权利要求4所述的器件，其中：

所述第一导电类型为n型导电性；以及

所述第二导电类型为p型导电性。

6.根据权利要求4所述的器件，其中：

所述第一导电类型为p型导电性；以及

所述第二导电类型为n型导电性。

7.一种方法，包括：

提供具有第一导电类型的衬底；

在所述衬底中埋入绝缘层；

在所述绝缘层上方形成隔离区；

在所述衬底中的所述绝缘层上方形成具有第二导电类型的体区域；

注入具有所述第一导电类型的离子以形成第一漂移区，其中所述第一漂移区位于所述绝缘层与所述隔离区之间；

注入具有所述第一导电类型的离子以形成第二漂移区；

注入具有所述第一导电类型的离子以形成漏极区，其中所述第二漂移区位于所述漏极区与所述绝缘层之间；

注入具有所述第一导电类型的离子以在所述体区域中形成源极区，其中所述源极区和所述漏极区位于所述隔离区的相对侧；以及

邻近所述源极区形成栅极结构。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

形成位于所述栅极与所述源极区之间的第一介电层；以及

形成位于所述栅极与所述衬底之间的第二介电层。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述衬底中的沟槽中形成所述隔离区，其中所述沟槽的底部与所述绝缘层的顶面之间的距离在0.05um到0.3um的范围内。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述衬底中形成二氧化硅绝缘层；以及

在所述二氧化硅绝缘层上方形成二氧化硅隔离区。