[发明专利]发光二极管阵列及发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，其特征在于，包括：

一基板；

多个发光二极管单元，位于该基板上且彼此电性隔离，每一发光二极管单元包括：

一n侧氮化物半导体层；

一p侧氮化物半导体层；与

一主动层，位于该n侧氮化物半导体层与该p侧氮化物半导体层之间；

至少一导光结构，位于相邻二该发光二极管单元之间的一间隔；及

多条互联机，电性连接该些发光二极管单元。

2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该导光结构与该些发光二极管单元彼此电性隔离。

3.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该导光结构与该发光二极管单元的结构相同。

4.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该导光结构系于相邻二该发光二极管单元之间的该间隔形成时，同时形成于该间隔中。

5.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该发光二极管单元更包括：

一未掺杂层，该未掺杂层位于该n侧氮化物半导体层与该基板之间。

6.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该导光结构的垂直剖面系为上窄下宽的型态。

7.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该导光结构的形状系选自于由柱状、墙状及其组合所构成的群组。

8.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该导光结构包括：

一第一导光墙，邻近该发光二极管的一第一边长；以及

一第二导光墙，邻近该发光二极管的一第二边长；

其中，该第一边长与该第二边长系为该发光二极管的相邻两边，该第一导光墙与该第二导光墙相互连接或不连接。

9.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于，该互联机的至少一部分位于该间隔上，且该互联机与该导光结构错开设置。

10.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

一基板；

一发光二极管单元，位于该基板上且包括：

一n侧氮化物半导体层；

一p侧氮化物半导体层；

一主动层，位于该n侧氮化物半导体层与该p侧氮化物半导体层之间；及

至少一导光墙，邻近该发光二极管单元的一边缘。

11.根据权利要求10所述的发光二极管芯片，其特征在于，该导光墙与该发光二极管单元彼此电性隔离或电性连接。

12.根据权利要求10所述的发光二极管芯片，其特征在于，该导光墙与该发光二极管单元的结构相同。

13.根据权利要求10所述的发光二极管芯片，其特征在于，该导光墙与该发光二极管单元之间具有一间隔。

14.根据权利要求13所述的发光二极管芯片，其特征在于，该间隔、该导光墙与该发光二极管单元同时形成。

15.根据权利要求10所述的发光二极管芯片，其特征在于，该发光二极管单元更包括：

一未掺杂层，该未掺杂层位于该n侧氮化物半导体层与该基板之间。

16.根据权利要求10所述的发光二极管芯片，其特征在于，该导光墙的垂直剖面为上窄下宽的型态。

17.根据权利要求10所述的发光二极管芯片，其特征在于，该导光墙为封闭环形结构或非封闭环形结构，且环绕该发光二极管单元。

18.根据权利要求10所述的发光二极管芯片，其特征在于，该至少一个导光墙包括多个导光墙，该些导光墙分离地配置。