[发明专利]发光二极管阵列及发光二极管芯片

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管阵列及发光二极管芯片，且特别是有关于一种具有导光结构的发光二极管阵列及发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种半导体二极管基光源。当二极管被施加正向偏压(被开启)时，该装置内的电子可与电洞重新结合并以光子的形式释放能量。这种效应被称为电致发光，而光的颜色(对应于光子的能量)取决于半导体的能隙。当作为光源使用时，LED与白炽光源相比展示出许多优点。这些优点包括较低的能耗、较长的寿命、改良的稳健性(robustness)、较小的尺寸、更快的切换以及更好的耐用性及可靠性。

然而，传统发光二极管除了从其正面出光外，亦从其侧面出光，如此导致从正面出光的光线亮度降低。

发明内容

本发明有关于一种具有导光结构的发光二极管阵列及发光二极管芯片。

可将光线引导至正面出光，以提升正面的出光亮度。

根据本发明的一实施例，提出一种发光二极管阵列。发光二极管阵列包括一基板、数个发光二极管单元、至少一导光结构及多条互联机。上述发光二极管单元位于基板且彼此电性隔离。各发光二极管包括一n侧氮化物半导体层、一p侧氮化物半导体层及一主动层。主动层位于n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层之间。导光结构位于相邻二发光二极管单元之间的一间隔。上述互联机电性连接发光二极管单元。

其中，该导光结构与该些发光二极管单元彼此电性隔离。

其中，该导光结构与该发光二极管单元的结构相同。

其中，该导光结构系于相邻二该发光二极管单元之间的该间隔形成时，同时形成于该间隔中。

其中，该发光二极管单元更包括：一未掺杂层，该未掺杂层位于该n侧氮化物半导体层与该基板之间。

其中该导光结构的垂直剖面系为上窄下宽的型态。

其中，该导光结构的形状系选自于由柱状、墙状及其组合所构成的群组。

其中，该导光结构包括：一第一导光墙，邻近该发光二极管的一第一边长；以及一第二导光墙，邻近该发光二极管的一第二边长；其中，该第一边长与该第二边长系为该发光二极管的相邻两边，该第一导光墙与该第二导光墙相互连接或不连接。

其中，该互联机的至少一部分位于该间隔上，且该互联机与该导光结构错开设置。

根据本发明的另一实施例，提出一种发光二极管芯片。发光二极管芯片包括一基板、一发光二极管单元及至少一导光墙。发光二极管单元位于基板上且包括一n侧氮化物半导体层、一p侧氮化物半导体层及一主动层，主动层位于n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层之间。导光墙邻近发光二极管单元的一边缘。

其中，该导光墙与该发光二极管单元彼此电性隔离或电性连接。

其中，该导光墙与该发光二极管单元的结构相同。

其中，该导光墙与该发光二极管单元之间具有一间隔。

其中，该间隔、该导光墙与该发光二极管单元同时形成。

其中，该发光二极管单元更包括：一未掺杂层，该未掺杂层位于该n侧氮化物半导体层与该基板之间。

其中，该导光墙的垂直剖面为上窄下宽的型态。

其中，该导光墙为封闭环形结构或非封闭环形结构，且环绕该发光二极管单元。

其中，该至少一个导光墙包括多个导光墙，该些导光墙分离地配置。

本发明有关于一种具有导光结构的发光二极管阵列及发光二极管芯片，可将光线引导至正面出光，以提升正面的出光亮度。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的发光二极管阵列的局部俯视图。

图1B绘示图1A中沿方向1B-1B’的剖视图。

图2绘示依照本发明另一实施例的发光二极管阵列的俯视图。

图3绘示依照本发明另一实施例的发光二极管阵列的剖视图。

图4绘示依照本发明另一实施例的发光二极管阵列的局部俯视图。

图5A绘示依照本发明一实施例的发光二极管芯片的剖视图。

图5B绘示图5A中沿方向5B-5B’的剖视图。

图6绘示依照本发明另一实施例的发光二极管芯片的俯视图。

图7绘示依照本发明另一实施例的发光二极管芯片的俯视图。

其中，附图标记：

100、200、300、400：发光二极管阵列

110：基板

120、420：导光结构