[发明专利]读相变存储器有效

专利信息
申请号: 201210204114.9 申请日: 2006-03-30
公开(公告)号: CN102708920A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: W·D·帕金森;G·卡萨格兰德;C·瑞斯塔;R·盖斯塔尔迪;F·贝德司奇 申请(专利权)人: 奥沃尼克斯股份有限公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C13/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 罗婷婷
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 相变 存储器
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

在由大于相变存储器元件的阈值电流的读电流驱动的地址线上,读未达到阈值的相变存储器元件。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括在读所述元件之后且在所述元件到达阈值之前减少所述电流。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括读出所选地址线上的电平是高于还是低于参考电平。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括将所述存储器元件串联地耦合至不相变的硫属元素化物选择设备。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,包括形成包含具有阈值电压的选择设备的存储器元件阵列,并使用其闪回电压低于所述存储器元件的最小阈值电压的选择设备。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,包括使用其闪回电压比所述存储器元件的最小阈值电压低大约0.6伏特的选择设备。

7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,包括使用具有低于其保持电压加上最小存储器元件阈值电压的大约一半的阈值电压的选择设备。

8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,包括确定所述定址电压的改变率。

9.如权利要求5所述的方法,其特征在于,包括检测所述定址线电压的峰值改变率。

10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,包括将所述地址线的峰值改变率与其后续改变率进行比较。

11.一种存储器,包括:

相变存储器单元的阵列,包含耦合至所述单元的地址线;

电流源,以高于所述单元的阈值电流的电流来驱动所述地址线;以及

读出放大器,用于读出所述地址线,所述读出放大器用于读出所述定址线并在读出存储器单元状态之后且在触发所述存储器元件之前减少所述电流。

12.如权利要求11所述的存储器,其特征在于,所述单元包括与相变存储器元件串联的不可编程的、硫属元素化物选择设备。

13.如权利要求11所述的存储器,其特征在于,包括耦合至所述地址线的充电速率检测器。

14.如权利要求13所述的存储器,其特征在于,所述速率检测器启动所选定的定时。

15.如权利要求13所述的存储器,其特征在于,所述速率的改变被用于确定存储器单元的状态。

16.如权利要求14所述的存储器,其特征在于,参考信号发生器存储参考电平,所述参考电平是在从所述线读的过程中对所述地址线的峰值充电率。

17.如权利要求15所述的存储器,其特征在于,所述发生器输出所述经转换的参考电平以供与所述峰值电平比较使用。

18.如权利要求11所述的存储器,其特征在于,所述读出放大器读出所选地址线上的电平高于还是低于参考电平。

19.如权利要求11所述的存储器,其特征在于,所述读出放大器比较在两个不同的时刻定址线上的改变率。

20.一种系统,包括:

处理器;

耦合至所述处理器的电池;以及

存储器,包括含有耦合至相变存储器单元的地址线的所述单元的阵列、以高于所述存储器单元的阈值电流的电流驱动所述地址线的电流源、以及在没有使所述存储单元达到阈值的情况下读出所述单元的读出放大器。

21.如权利要求20所述的系统,其特征在于,所述单元包括串联耦合至硫属元素化物存储器元件的不可编程、硫属元素化物选择设备。

22.如权利要求20所述的系统,其特征在于,所述存储器包括耦合至所述地址线的参考信号发生器。

23.如权利要求22所述的系统,其特征在于,所述参考信号发生器存储来自所述线的充电电平的导数参考峰值速率。

24.如权利要求23所述的系统,其特征在于,所述参考信号发生器减少来自所述线的信号的电平。

25.如权利要求20所述的系统,其特征在于,包括照相机。

26.如权利要求20所述的系统,其特征在于,包括其中信息存储在其中由速率检测器确定单元状态的存储器上的照相机。

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