[发明专利]一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构的制造方法无效
| 申请号： | 201210206312.9 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709192A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 林曦;王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 存储器 mos 晶体管 结构 制造 方法 | ||
1.一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构的制造方法，其特征在于具体步骤包括：
在具有第一种掺杂类型的半导体衬底表面形成第一层绝缘薄膜；
在所述第一层绝缘薄膜之上淀积形成第一层导电薄膜；
在所述第一层导电薄膜之上淀积一层光刻胶，并掩膜、曝光、显影定义出栅区的位置；
刻蚀掉没有被光刻胶保护的所述第一层导电薄膜，剩余的所述第一层导电薄膜形成场效应晶体管的栅极；
剥除光刻胶；
在所述半导体衬底内所述栅极的两侧分别形成具有第二种掺杂类型的源区和漏区；
刻蚀所述源区上方的所述第一层绝缘薄膜而保留在所述漏区上方的所述第一层绝缘薄膜，所述保留在漏区上方的所述第一层绝缘薄膜形成阻变存储器的阻变存储层。
2.根据权利要求1所述的集成阻变存储器的场效应晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述的半导体衬底为硅或者为绝缘体上的硅。
3.根据权利要求1所述的集成阻变存储器的场效应晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述的第一层绝缘薄膜为具有高介电常数值的阻变材料。
4.根据权利要求1所述的集成阻变存储器器件的场效应晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述的第一层导电薄膜为多晶硅。
5.根据权利要求1所述的集成阻变存储器的场效应晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为n型掺杂，所述的第二种掺杂类型为p型掺杂。
6.根据权利要求1所述的集成阻变存储器的场效应晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为p型掺杂，所述的第二种掺杂类型为n型掺杂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
