[发明专利]NMOS器件制作方法有效
| 申请号： | 201210208991.3 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102751196A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nmos 器件 制作方法 | ||
1.一种NMOS器件制作方法，其特征在于，包括：
提供含有NMOS的基底；
在所述基底上沉积具有高拉应力的氮化硅层；
将沉积前无氮化硅层覆盖的所述NMOS按照NMOS沟道长度的长短次序进行分类，保留上述NMOS中具有最长沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层，干法刻蚀以去除上述NMOS中其余所对应的氮化硅层，再次沉积氮化硅层；
重复执行上述步骤，直至沉积前无氮化硅层覆盖的所述NMOS无法按照NMOS沟道长度的长短次序进行分类，继续后续通用的半导体工艺流程，以形成NMOS晶体管。
2.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述将沉积前无氮化硅层覆盖的NMOS按照NMOS沟道长度的长短次序进行分类，保留上述NMOS中具有最长沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层，干法刻蚀以去除上述NMOS中其余所对应的氮化硅层，再次沉积氮化硅层包括：
将所述NMOS按照NMOS沟道长度的长短次序分为三类，对于沟道长度最短和次短的NMOS，干法刻蚀去除其对应的氮化硅层；
沉积第二氮化硅层；
干法刻蚀去除与沟道长度最短的NMOS对应的第二氮化硅层；
沉积第三氮化硅层。
3.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述氮化硅层。
4.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为100埃至300埃。
5.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述氮化硅层具有高拉应力，所述高拉应力为0.7吉帕至2.0吉帕。
6.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述对氮化硅层进行干法刻蚀采用的刻蚀气体为氟和碳含量低的气体。
7.如权利要求6所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述刻蚀气体为四氟化碳，和/或八氟环丁烷，和/或全氟丁二烯。
8.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述继续后续通用的半导体工艺流程包括沉积金属前介电质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
