[发明专利]一种用于形成接触孔的方法

权利要求书

1.一种用于形成接触孔的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括有源区且所述衬底上形成有栅极结构；

在所述有源区上形成金属硅化物；

在所述衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和第一层间介电层；

在所述第一层间介电层中形成共享接触孔，所述共享接触孔包括位于所述栅极结构之上的部分和位于所述有源区之上的部分；以及

在所述共享接触孔底部形成金属硅化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述共享接触孔底部形成金属硅化物之后还包括：

在所述第一层间介电层中形成有源区接触孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述有源区上形成所述金属硅化物包括：

在所述衬底上除所述有源区以外的部分上形成自对准金属硅化物阻挡层；

在所述衬底上方形成金属层；以及

在从所述衬底露出的、未形成所述自对准金属硅化物阻挡层的表面上形成金属硅化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述共享接触孔底部形成金属硅化物包括：

在所述衬底上除所述共享接触孔以外的部分上形成自对准金属硅化物阻挡层；

在所述衬底上方形成金属层；以及

在从所述衬底露出的、未形成所述自对准金属硅化物阻挡层的表面上形成金属硅化物。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述金属硅化物包含钴、镍和铂中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极结构包括栅极介电层和位于所述栅极介电层上的虚设多晶硅栅极，并且其中，在形成所述第一层间介电层之后且在形成所述共享接触孔之前还包括：

在所述栅极结构中形成金属栅极；以及

在所述第一层间介电层、所述接触孔蚀刻停止层和所述金属栅极上方形成第二层间介电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述金属栅极包括：

对所述第一层间介电层执行平坦化，以露出所述虚设多晶硅栅极的表面；以及

去除所述虚设多晶硅栅极，并填入金属，从而形成所述金属栅极。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属栅极包含铪、钛、钽、铝、锆、钌、钯、铂、钴、镍及其氧化物和碳化物中的至少一种。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第一层间介电层中形成所述共享接触孔包括：

在所述第一层间介电层中形成所述共享接触孔的一部分，并且同时在所述第二层间介电层中形成所述共享接触孔的另一部分。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述共享接触孔底部形成金属硅化物之后还包括：

在所述第一和第二层间介电层中形成有源区接触孔。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成所述金属栅极之后且在形成所述第二层间介电层之前还包括：

在所述衬底和所述金属栅极上方形成另一接触孔蚀刻停止层。

12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述栅极介电层为高介电常数材料。

13.根据权利要求1或6所述的方法，其中，所述栅极结构两侧形成有侧墙，且所述侧墙最外层为氮化物。