[发明专利]应力降低装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

金属结构，形成在衬底上方；

金属间介电层，形成在所述衬底上方，其中，所述金属结构的下部嵌入所述金属间介电层；以及

倒杯形应力降低层，形成在所述金属结构上方，其中，所述金属结构的上部嵌入所述倒杯形应力降低层。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述倒杯形应力降低层包括：

第一部分，形成在所述金属间介电层上，其中，所述金属结构的上部被所述倒杯形应力降低层的所述第一部分包围；以及

第二部分，形成在所述金属结构的上端以及所述倒杯形应力降低层的所述第一部分上。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述倒杯形应力降低层的所述 第一部分的厚度为约1000

4.根据权利要求2所述的装置，其中：

所述倒杯形应力降低层的所述第一部分由氮化硅形成；以及

所述倒杯形应力降低层的所述第二部分由氮化硅形成。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属结构由铜形成。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括：

金属通孔，形成在所述金属结构的下方。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属结构通过采用单镶嵌工艺形成。

8.一种器件，包括：

衬底，包含硅；

介电层，形成在所述衬底上方；

第一金属层，形成在所述介电层上；

第一蚀刻终止层，形成在所述第一金属层上方；

第一金属间介电层，形成在所述第一蚀刻终止层上；

金属通孔，形成在所述第一金属间介电层中；

第二蚀刻终止层，形成在所述第一金属间介电层上；

第二金属间介电层，形成在所述第二蚀刻终止层上；

应力降低层，形成在所述第二金属间介电层上；

金属结构，包括：

下部，被所述第二蚀刻终止层包围；

中部，被所述第二金属间介电层包围；以及

上部，被所述应力降低层包围；以及

第三蚀刻终止层，形成在所述应力降低层以及所述金属结构的上端上。

9.一种方法，包括：

在衬底上方形成第一金属间介电层；

在所述第一金属间介电层上形成应力降低层；

在所述应力降低层上形成第二金属间介电层；

图案化所述第一金属间介电层、所述应力降低层和所述第二金属间介电层以形成开口；

将金属材料填充到所述开口中以形成金属结构；

对所述第二金属间介电层的表面实施化学机械平坦化工艺；以及

在所述应力降低层以及所述金属结构的上端上形成蚀刻终止层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述金属结构的下方形成金属通孔，其中，将所述金属通孔电连接至所述金属结构。