[发明专利]一种高压LDMOS器件无效
申请号: | 201210210372.8 | 申请日: | 2012-06-25 |
公开(公告)号: | CN102709325A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 乔明;向凡;温恒娟;何逸涛;周锌;张波;李肇基 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/08 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 ldmos 器件 | ||
1.一种高压LDMOS器件,包括第一导电类型半导体衬底(1)、位于第一导电类型半导体衬底(1)表面的第二导电类型半导体漂移区(2)、位于第二导电类型半导体漂移区(2)顶部一侧的第二导电类型半导体漏区(10)、位于第二导电类型半导体漂移区(2)顶部另一侧的第一导电类型半导体体区(6),第一导电类型半导体体区(6)中具有第二导电类型半导体源区(11)和第一导电类型半导体体接触区(12);器件表面与第二导电类型半导体漏区(10)接触的是漏极金属(15),与第二导电类型半导体源区(11)和第一导电类型半导体体接触区(12)接触的是源极金属(14),第一导电类型半导体体区(6)和部分第二导电类型半导体漂移区(2)表面是栅氧化层(8)、栅氧化层(8)表面是栅极(9),其余第二导电类型半导体漂移区(2)表面是场氧化层(7),源极金属(14)、栅极(9)和漏极金属(15)三者之间填充金属前介质(13);所述第一导电类型半导体体区(6)与第一导电类型半导体衬底(1)之间还具有横向与第二导电类型半导体漂移区(2)接触的第一导电类型半导体埋层(4);所述第二导电类型半导体漂移区(2)内部还具有第一导电类型半导体降场层(3);所述第一导电类型半导体降场层(3)在器件宽度方向上呈现不连续状态,中间周期性间隔着第二导电类型半导体电荷平衡区(16)。
2.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件,其特征在于,所述第一导电类型半导体降场层(3)由分段线性变掺杂的第一导电类型半导体形成,其长度和掺杂浓度自第二导电类型半导体源区(11)至第二导电类型半导体漏区(10)逐渐降低。
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