[发明专利]批量式处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及批量式处理装置。

背景技术

以往，例如为了对在液晶显示器、有机EL等平板显示器（以下称作FPD）、太阳电池模块的制造中使用的作为被处理体的玻璃基板进行成膜、蚀刻等处理，从处理速度、控制性的观点出发，多使用等离子处理，并使用单张式处理装置，以避免批量式的装置构造的复杂性、提高等离子体的性能，由此来满足与处理能力（through－put）有关的要求。

然而，当然，与利用单张式的装置进行处理相比，利用批量式的装置进行处理在处理能力方面效率高，近年来，也开发出了基于批量式处理的处理装置，例如专利文献1中记载有这样的批量式处理装置。

另一方面，随着形成于玻璃基板上的TFT（Thin Film Transistor：薄膜晶体管）微细化，由等离子体对作为栅极等而形成于玻璃基板上的薄膜造成的损伤严重，并且，在有机EL等的制造中，需要更低的温度的工艺（process），根据这些要求，重新研究不使用等离子体的基于气体的工艺。

在像这样的不产生等离子体而使用基于气体的处理的处理装置的情况下，由于处理装置的构造比使用等离子体的处理装置的构造简单，所以更容易采用批量式处理装置。

专利文献1：日本特开平8－8234号公报

但是，若欲简单地在大的工艺室内排列多个玻璃基板、对多个玻璃基板同时进行处理，则会发生处理气体的使用效率降低的情况。这是由于工艺室的容量变大。

并且，在薄膜成膜的领域中，如下的原子层堆积法（以下称作ALD法）受到关注：使基板的表面上交替流过有两种以上的前驱体气体，通过在形成于基板表面上的吸附位置（adsorption site）吸附这些前驱体气体而以原子层等级成膜薄膜。这是因为考虑到如下情况：ALD法的台阶覆盖性、膜厚均匀性、薄膜控制性优异，对于形成更加微细化的元件来说是极其有效的。例如，当前，在对具有730mm×920mm～2200mm×2500mm的大小、面积比半导体晶片的面积大很多的玻璃基板等的薄膜成膜中，为了实现薄膜的高质量化，开始研究ALD法的采用。

但是，若欲对多个大面积的玻璃基板同时使用ALD法，则除了玻璃基板自身的面积大之外，收纳多个玻璃基板的工艺室自身的容量也变得巨大，因此难以对多个玻璃基板的表面分别均匀地进行前驱体气体的供给、排气。因此，例如难以在玻璃基板的表面分别均匀地形成吸附位置，难以实现前驱体气体与吸附位置之间的均匀且稳定的反应，无法得到期待质量的薄膜。

发明内容

本发明提供处理气体的使用效率高、且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。

本发明的一个方式所涉及的批量式处理装置是对多个被处理体同时实施处理的批量式处理装置，具备：主室；在上述主室内沿该主室的高度方向层叠设置、且用于载置上述被处理体的多个工作台；以及针对每个上述工作台分别设置一个、且遮盖载置于上述工作台的上述被处理体的多个罩，利用上述多个工作台与上述多个罩，以包围载置于上述多个工作台的上述多个被处理体中的各个被处理体的方式，形成容量小于上述主室的容量的处理用小空间。

根据本发明，能够提供处理气体的使用效率高、并且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。

附图说明

图1是示出具备本发明的第一实施方式的一例所涉及的批量式处理装置的处理系统的一例的水平剖视图。

图2是沿着图1中的II－II线的剖视图。

图3中，（A）图是示出使罩上升后的状态的图，（B）图是示出使罩下降后的状态的图。

图4中，（A）图是示出使升降器上升后的状态的图，（B）图是示出使升降器下降后的状态的图。

图5是示出工作台与罩分离后的状态的立体图。

图6中，（A）图是气体喷出孔形成区域附近的俯视图，（B）图是沿着（A）图中的VIB－VIB线的剖视图。

图7中，（A）图是排气槽附近的俯视图，（B）图是沿着（A）图中的沿VIIB－VIIB线的剖视图。

图8是示出处理用小空间内的气体的流动的图。

图9中，（A）～（F）是示出被处理体G的搬入、搬出动作的一例的剖视图。

图10中，（A）图是第一变形例所涉及的批量式处理装置的俯视图，（B）图是沿着（A）图中的XB－XB线的剖视图。

图11中，（A）～（C）是示出处理用小空间的形成例的剖视图。