[发明专利]一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法无效
| 申请号： | 201210211640.8 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102732951A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 邱锋;吕英飞;胡淑红;郭建华;邓惠勇;戴宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B19/00 | 分类号： | C30B19/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 外延 用富镓 砷化镓熔体 凝固 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法，其特征在于：
将微量Ga薄片一端插进液态的富镓GaAs熔体中，以每秒0.5~1转的速度顺时针或逆时针搅动，随着熔体液态慢慢凝固，转动的区域半径慢慢变小，在搅动的同时采用单晶生长的提拉技术沿运动轴向向外拉出和插入，直至熔源全部凝固。
2.根据权利要求1所述的一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法，其特征在于：所说的微量Ga薄片的质量占熔源总质量比约为0.1%。
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