[发明专利]一种磁控溅射制备TiO2纳米管薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201210211733.0 申请日: 2012-06-26
公开(公告)号: CN102691047A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 任鑫;赵彬 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/04
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁控溅射 制备 tio sub 纳米 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种磁控溅射制备TiO2纳米管薄膜的方法,其特征在于具有以下的过程和步骤:

a. 通过磁控溅射在多孔氧化铝模板上沉积钛:

所述的多孔氧化铝模板,其微孔直径为150-250 nm,微孔间距为180-280 nm;首先,将所述的多孔氧化铝模板置入直流溅射仪的真空腔中,真空腔中的真空度达到1×10-10 mbar;溅射功率为0.7 W/cm2,工作压强为1.9 Pa;

b. 溶解去除多孔氧化铝模板:

将溅射钛后的多孔氧化铝模板放置在一平板玻璃表面,让溅射钛的一面朝下,然后将处理后的氧化铝模板和平板玻璃一起浸入0.1 mol/L的NaOH溶液中,在室温下放置30-60分钟;

c. 对溅射的钛层进行退火热处理:

将溶解掉氧化铝模板后的钛纳米管薄膜和平板玻璃在空气环境中进行退火处理,热处理温度为400 ℃,热处理时间为6小时;最终得到平板玻璃表面上的TiO2纳米管薄膜。

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