[发明专利]隔离结构、具有其的半导体器件及制造该隔离结构的方法

权利要求书

1.一种半导体器件的隔离结构，包括：

形成在衬底中的沟槽；

形成在所述沟槽的底表面和内侧壁上的氧化物层；

形成在所述氧化物层上以填充所述沟槽的内部的一部分的填充物；以及

填充所述沟槽的所述填充物的上部至高于所述沟槽的上表面的高度的第四氧化物层，在所述内侧壁与所述氧化物层之间的边界区域上形成有底切结构。

2.根据权利要求1所述的隔离结构，其中所述氧化物层包括：

形成在所述沟槽的所述底表面和所述内侧壁中的第一氧化物层；以及

形成在所述第一氧化物层上的第二氧化物层。

3.一种半导体器件的隔离结构，包括：

形成在衬底中的沟槽；

形成在所述沟槽的底表面和内侧壁中的第一氧化物层；

形成在所述第一氧化物层上的氮化物层；

形成在所述氮化物层上的第二氧化物层；

形成在所述第二氧化物层上以填充所述沟槽的内部的一部分的填充物；以及

填充所述沟槽的所述填充物的上部至高于所述沟槽的上表面的高度的第四氧化物层。

4.根据权利要求3所述的隔离结构，包括形成在所述沟槽的内侧壁与氧化物层之间的边界区域上的底切结构。

5.根据权利要求2所述的隔离结构，其中所述第一氧化物层和所述第二氧化物层均具有在至范围内的厚度。

6.根据权利要求4所述的隔离结构，其中所述第一氧化物层和所述第二氧化物层均具有在至范围内的厚度。

7.根据权利要求2所述的隔离结构，其中所述沟槽是通过两个蚀刻过程形成的深沟槽，并且所述底切结构形成在所述深沟槽的内侧壁上至与沟槽结构的底表面对应的深度，所述沟槽结构是在所述深沟槽形成前通过多个蚀刻过程中之一形成的。

8.根据权利要求4所述的隔离结构，其中所述沟槽是通过两个蚀刻过程形成的深沟槽，并且所述底切结构形成在所述深沟槽的内侧壁上至与沟槽结构的底表面对应的深度，所述沟槽结构是在所述深沟槽形成前通过多个蚀刻过程中之一形成的。

9.根据权利要求7所述的隔离结构，其中所述深沟槽形成为距所述衬底的上表面10μm至40μm的深度，以及

所述底切结构形成为距所述衬底的上表面3μm至7μm的深度。

10.根据权利要求8所述的隔离结构，其中所述深沟槽形成为距所述衬底的上表面10μm至40μm的深度，以及

所述底切结构形成为距所述衬底的上表面3μm至7μm的深度。

11.根据权利要求2所述的隔离结构，其中所述填充物填充至比所述沟槽的上表面低至的深度。

12.根据权利要求4所述的隔离结构，其中所述填充物填充至比所述沟槽的上表面低至的深度。

13.根据权利要求2所述的隔离结构，还包括通过LOCOS形成在所述隔离结构的一侧或两侧上的场氧化物层。

14.根据权利要求4所述的隔离结构，还包括通过LOCOS形成在所述隔离结构的一侧或两侧上的场氧化物层。

15.根据权利要求2所述的隔离结构，其中所述填充物是多晶硅材料。

16.根据权利要求4所述的隔离结构，其中所述填充物是多晶硅材料。

17.根据权利要求5所述的隔离结构，其中所述第一氧化物层和所述第二氧化物层均具有65％至75％的覆盖率。

18.根据权利要求6所述的隔离结构，其中所述第一氧化物层和所述第二氧化物层均具有65％至75％的覆盖率。

19.根据权利要求2所述的隔离结构，还包括形成在所述沟槽与所述第一氧化物层之间的边界区域上的氮化物层。

20.根据权利要求3所述的隔离结构，其中所述氮化物层也形成于沉积在所述衬底的上部上的所述第四氧化物层之间。