[发明专利]SRAM的读出电路

权利要求书

1.一种SRAM的读出电路，其特征在于：包括：

放大电路模块，用于分别对复数SRAM存储阵列块中的数据进行放大并输出至第一输出接点和第二输出接点；

钳位电路模块，对所述第一输出接点和第二输出接点的电位在有效信号来之前拉伸至低电平；

推挽电路模块，将所述第一输出接点和第二输出接点的电位进行取相反的处理；

选择输出电路模块，选择将所述第一输出接点和第二输出接点的数据分别传送至全局位线上；

输出电路模块，将全局位线上的数据进行选择输出；以及

复数控制信号，控制所述模块的开启与断开，包括放大器选择信号，阵列放大器使能信号和阵列选择信号。

2.根据权利要求1所述的SRAM的读出电路，其特征在于：所述放大电路模块包括复数灵敏放大器，所述每一灵敏放大器具有SA输入端和SA输出端，所述SA输入端接由所述放大器选择信号和阵列放大器使能信号通过逻辑运算的输出信号。

3.根据权利要求1或2所述的SRAM的读出电路，其特征在于：所述放大器选择信号为灵敏放大器选择信号，所述阵列放大器使能信号为阵列放大器使能信号。

4.根据权利要求2所述的SRAM的读出电路，其特征在于：所述SA输出端包括第一SA输出端和第二SA输出端。

5.根据权利要求4所述的SRAM的读出电路，其特征在于：所述每一第一SA输出端和第二SA输出端分别接第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极，其中所有第一PMOS管的漏极共接于所述第一输出接点，所有第二PMOS管的漏极共接于所述第二输出接点。

6.根据权利要求1所述的SRAM的读出电路，其特征在于：所述钳位电路模块包括栅极共接于阵列放大器使能信号的第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管和第二NMOS管的源极分别接所述第一输出接点和第二输出接点，其漏极接地。

7.根据权利要求1所述的SRAM的读出电路，其特征在于：所述推挽电路模块包括第三NMOS管和第四NMOS管，所述第三NMOS管的源极和第四NMOS管的栅极共同接于所述第一输出接点，所述第四NMOS管的源极和第三NMOS管的栅极共同接于所述第二输出接点，所述第三NMOS管和第四NMOS管的漏极接地。

8.根据权利要求1所述的SRAM的读出电路，其特征在于：所述选择输出电路模块包括第一CMOS反相器和第二CMOS反相器，所述第一输出接点和第二输出接点分别作为所述第一CMOS反相器和第二CMOS反相器的输入端，第一CMOS反相器和第二CMOS反相器的输出端分别接信号取反的全局位线。

9.根据权利要求8所述的SRAM的读出电路，其特征在于：所述第一CMOS反相器和第二CMOS反相器还包括开启端，所述开启端分别接第三PMOS管和第四PMOS管的漏极，第三PMOS管和第四PMOS管的栅极共接阵列选择信号，源极接工作电压。

10.根据权利要求1或8所述的SRAM的读出电路，其特征在于：所述输出电路模块为RS触发器电路，其两输入端分别接信号取反的全局位线。