[发明专利]成膜装置

说明书

技术领域

本申请以2011年6月30日向日本专利局提交的日本专利申请号第2011-146244号为基础，主张其优先权，本说明书参考并包含其全部公开内容。

本发明涉及在基板上形成薄膜的成膜装置。

背景技术

在半导体集成电路的制造工序中，有在半导体晶片等的基板（以下称作晶片）上形成各种薄膜的各种成膜工序。在成膜工序中，存在使用所谓的分批式的成膜装置的情况。该成膜装置具备：晶舟，该晶舟隔开间隔保持多个晶片；反应管，该反应管容纳晶舟；支承部，该支承部支承反应管；原料气体供给管，该原料气体供给管沿着反应管内的晶舟延伸，向晶片供给用于在晶片上形成薄膜的原料气体；以及加热器，该加热器配置在反应管的外侧，对保持于晶舟的晶片进行加热。

并且，在上述成膜装置中，为了测量晶片的温度而沿着晶舟设置有温度测量部。为了在原料气体中保护温度测量部，温度测量部大多插入到沿着晶舟延伸的保护管的内部（例如专利文献1）。

专利文献1：日本特开2002-270593号公报

在上述成膜装置中，在将薄膜形成在晶片上的情况下，例如将晶片搭载于晶舟，将晶舟容纳在反应管内，利用加热器对保持于晶舟的晶片进行加热，在晶片温度达到规定的成膜温度之后，供给原料气体。如此一来，利用晶片的热量来分解原料气体，并利用分解生成物在晶片上形成薄膜。

此时，分解生成物不仅堆积于晶片，也堆积于晶舟、反应管以及保护管。因此，当保护管的外表面与反应管的内表面接触时，有时保护管因分解生成物而粘贴在反应管的内表面。在该情况下，在进行成膜装置的维护时，不容易从反应管的内表面拆下保护管，如果强行拆下，则也存在保护管破损的情况。因此，需要进行慎重的操作，维护所需要的时间也会增长。

并且，在保护管粘贴在反应管的内表面的情况下，在成膜结束后，晶片的温度下降时，由于应力作用于保护管，而有可能使保护管因该应力而破损。

发明内容

本发明根据上述情况，提供一种能够避免保护管粘贴在反应管的内表面的成膜装置。

根据本发明的一个实施方式，提供一种成膜装置，该成膜装置具备：基板保持件，该基板保持件以将多个基板隔开间隔而重叠的方式对所述多个基板进行保持；反应管，该反应管用于容纳所述基板保持件；原料气体供给管，该原料气体供给管对被所述基板保持件保持的所述多个基板供给要成膜于所述多个基板上的薄膜的原料气体，所述基板保持件容纳于所述反应管；支承部，该支承部用于支承所述反应管；加热部，该加热部配置在所述反应管的外侧，对所述多个基板进行加热；保护管，该保护管在一端部固定于所述支承部，在所述基板保持件与所述反应管之间沿着所述多个基板的排列方向延伸，内部供温度测量部插入；突起部，该突起部设置在所述保护管的外表面与所述反应管的内表面的至少一方，在所述保护管的外表面与所述反应管的内表面之间形成空隙。

以下说明将阐述本发明的其他目的和优点，其一部分可以通过以下说明或者对发明的实施予以明确。

本发明的目的和优点将结合附图以及具体实施方式予以明确。

附图说明

构成本发明的说明书、实施例的附图、以上所述以及以下对实施例的详细说明用于解释本发明的原理。

图1是示出基于本发明的实施方式的成膜装置的简略剖视图。

图2是示出图1的成膜装置的保护管与反应管之间的位置关系的简略俯视图。

图3A以及图3B是说明在图1的成膜装置中，应力作用于保护管的原因的图。

图4是示出在图1的成膜装置中，作用于保护管的应力的测量结果的图表。

图5A以及图5B是说明设置在图1的成膜装置的保护管的前端部的突起部的效果的说明图。

图6A以及图6B是示出图1的成膜装置的变形例中的保护管与反应管之间的位置关系的简略俯视图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下说明中，对具备相同功能和作用的构成要素标注相同的标号，仅在需要时进行重复说明。

以下，参照附图对不作为本发明的限定的例示的实施方式进行说明。在全部附图中，对相同或者对应的部件或者元件标注相同或者对应的附图标记，并省略重复的说明。并且，附图的目的不在于示出部件或元件之间的相对比例，因此，具体的尺寸应当根据以下不起限定作用的实施方式，由本领域技术人员来决定。