[发明专利]沉积装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种沉积装置。

背景技术

现有工艺在沉积氮化硅薄膜时，由于氮化硅(Si₃N₄)薄膜具有高的介电常数而被作为介电材料广泛应用在半导体制造领域，如制造闪存的工艺里需要形成一层ONO作为浮置栅极(Floating Gate)和控制栅极(Control Gate)之间的介电材料，ONO层中O代表二氧化硅薄膜，N代表氮化硅薄膜。

另外，氮化硅薄膜不易被氧分子渗透，利用这一优点，以氮化硅作为罩幕层(Masking Layer)，可以在场氧化层制作过程中，防止晶圆表面的有源区(Active Area)被氧化，从而起到保护该有源区的作用。

目前，业界大都以二氯二氢硅(DCS，SiH₂Cl₂)和氨气(NH₃)为反应物，通过化学气相沉积工艺(CVD)沉积氮化硅薄膜，以二氯二氢硅和氨气为反应物的氮化硅薄膜的沉积装置如图1所示，包括：第一进气管101、第二进气管103、气体反应腔105以及尾气排出管107；所述第一进气管101和第二进气管103均与所述气体反应腔105连接，分别将沉积反应所需的二氯二氢硅和氨气输送到气体反应腔105内以进行化学反应，并在晶圆上沉积形成需要的氮化硅薄膜；所述尾气排出管107与所述气体反应腔105连接，用以将沉积反应产生的副产物或未反应的气体排出气体反应腔105。

通过图1中氮化硅薄膜的沉积装置形成氮化硅薄膜时，气体反应腔105中的温度需控制在750摄氏度以上，此时反应气体以及反应产生的副产物呈气态。然而，当图1中氮化硅薄膜的沉积装置处于停机或待机状态时，气体反应腔105中的温度降至600摄氏度以下，气体反应腔105内反应产生的副产物通过尾气排出管107排出所述气体反应腔105时，易在尾气排出管107内冷凝，形成颗粒状物质粘附在尾气排出管107内壁上，最终导致尾气排出管107发生堵塞，影响氮化硅薄膜的沉积装置的正常工作时间，降低了氮化硅薄膜的沉积装置的使用率。

现有工艺中，为了防止尾气排出管107发生堵塞，在氮化硅薄膜的沉积装置处于停机或待机状态时，通过在尾气排出管107表面包裹温度在150至180摄氏度的加热带对尾气排出管107进行保温，避免反应产生的副产物在尾气排出管107中凝结。然而，在氮化硅薄膜的沉积装置处于停机或待机时，需要持续不断地通过加热带对所述尾气排出管107进行保温，导致氮化硅薄膜的沉积装置使用成本较高。

更多氮化硅薄膜的沉积装置的介绍请参考公开号为CN1453833A的中国专利申请。

因此，如何避免氮化硅薄膜的沉积装置的尾气排出管发生堵塞，提高氮化硅薄膜的沉积装置的正常工作时间和降低使用成本，就成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种沉积装置，防止沉积装置的尾气排出管发生堵塞，提高沉积装置的正常工作时间，降低其使用成本。

为解决上述问题，本发明提供了沉积装置，包括气体反应腔、尾气排出管和排堵进气管，其中，所述尾气排出管与所述气体反应腔连接，所述排堵进气管位于所述尾气排出管的侧壁，且与所述尾气排出管贯通。

可选的，所述排堵进气管靠近所述尾气排出管与气体反应腔连接端。

可选的，所述排堵进气管与所述尾气排出管一体成型。

可选的，所述排堵进气管与所述尾气排出管的侧壁的连接方式为套接或焊接或螺纹连接。

可选的，所述沉积装置还包括：气体流量监测器或气体流量监控器，所述气体流量监测器或气体流量监控器的一端与所述排堵进气管的开口连接。

可选的，所述沉积装置还包括：气体流量监测器或气体流量监控器，所述气体流量监测器或气体流量监控器的一端与尾气排出管连接，另一端与排堵进气管连接。

可选的，所述沉积装置还包括：开关部件，所述开关部件的一端与尾气排出管连接，另一端与排堵进气管连接。

可选的，所述沉积装置还包括：开关部件，所述开关部件的一端与排堵进气管的开口连接。

可选的，所述开关部件为阀门或插塞。

可选的，所述沉积装置还包括：第一进气管和第二进气管，所述第一进气管和第二进气管分别与所述气体反应腔贯通连接。

与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：