[发明专利]将金属表面附着到载体的方法有效
| 申请号： | 201210216348.5 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102856218A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 哈利勒·哈希尼;弗朗茨-彼得·卡尔茨;约阿希姆·马勒;曼弗雷德·门格尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属表面 附着 载体 方法 | ||
1.一种将金属表面附着到载体的方法，所述方法包括：
在所述金属表面上形成第一聚合物层；
在所述载体的表面上形成第二聚合物层；以及
使所述第一聚合物层与所述第二聚合物层物理接触，从而在所述第一聚合物层和所述第二聚合物层之间形成互相渗透的聚合物结构和互相扩散的聚合物结构中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属表面上形成第一聚合物层包括：形成具有从约100nm到约5μm范围的厚度的第一聚合物层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述载体的表面上形成第二聚合物层包括：形成具有从约100nm到约5μm范围的厚度的第二聚合物层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属表面上形成第一聚合物层和在所述载体的表面上形成第二聚合物层包括：形成厚度比第二聚合物层更小的第一聚合物层，或者形成厚度比第一聚合物层更小的第二聚合物层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属表面上形成第一聚合物层和在所述载体的表面上形成第二聚合物层包括：以比形成第二聚合物层的分子更小的分子形成第一聚合物层，或者以比形成第一聚合物层的分子更小的分子形成第二聚合物层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，以比形成第二聚合物层的分子更小的分子形成第一聚合物层或者以比形成第一聚合物层的分子更小的分子形成第二聚合物层包括：以包括单体链或低聚物链中的至少一种的更小的分子形成第一聚合物层或第二聚合物层。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，使所述第一聚合物层与所述第二聚合物层物理接触从而在所述第一聚合物层和所述第二聚合物层之间产生互相渗透的聚合物结构和互相扩散的聚合物结构中的至少一种包括：使所述第一聚合物层与所述第二聚合物层物理接触，从而使得互相渗透的聚合物结构和互相扩散的聚合物结构中的至少一种由互相渗透和/或互相扩散至所述第二聚合物层的所述第一聚合物层的更小的分子形成，或者由互相渗透和/或互相扩散至所述第一聚合物层的所述第二聚合物层的更小的分子形成。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属表面上形成第一聚合物层和在所述载体的表面上形成第二聚合物层包括：形成第一聚合物层和第二聚合物层，其中，所述第一聚合物层和所述第二聚合物层中的至少一个包括导电聚合物、金属、非晶材料和低结晶性材料中的至少一种。
9.一种将芯片附着到芯片载体的方法，所述方法包括：
在所述芯片的表面上形成第一聚合物层；
在所述芯片载体的表面上形成第二聚合物层；以及
使所述第一聚合物层与所述第二聚合物层物理接触，从而在所述第一聚合物层和所述第二聚合物层之间形成互相渗透的聚合物结构和互相扩散的聚合物结构中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述芯片的表面上形成第一聚合物层包括：形成具有从约100nm到约5μm范围的厚度的第一聚合物层。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述芯片的表面上形成第一聚合物层和在所述芯片载体的表面上形成第二聚合物层包括：以比形成第二聚合物层的分子更小的分子形成第一聚合物层或者以比形成第一聚合物层的分子更小的分子形成第二聚合物层，其中，所述更小的分子包括单体链和低聚物链中的至少一种。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，使所述第一聚合物层与所述第二聚合物层物理接触从而在所述第一聚合物层和所述第二聚合物层之间形成互相渗透的聚合物结构和互相扩散的聚合物结构中的至少一种包括：使所述第一聚合物层与所述第二聚合物层物理接触，从而使得互相渗透的聚合物结构和互相扩散的聚合物结构中的至少一种由互相渗透和/或互相扩散至所述第二聚合物层的所述第一聚合物层的更小的分子形成，或者由互相渗透和/或互相扩散至所述第一聚合物层的所述第二聚合物层的更小的分子形成。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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