[发明专利]将金属表面附着到载体的方法

说明书

技术领域

各个实施方式总体上涉及将金属表面附着到载体的方法、将芯片附着到芯片载体的方法、芯片封装（packaging）模块以及封装模块。

背景技术

本发明总体上涉及在芯片和芯片载体之间产生可靠且稳定的连接并且维持与芯片包覆（encapsulation）层的稳定的连接。已知用于将芯片连接至芯片包覆层的多种不同方法，但是，很少知道用于可靠地将芯片连接至芯片载体的方法。迄今，已通过改变芯片载体的表面来进行改进芯片对于芯片载体的粘附的尝试。但是，特别是在使用粘合剂（例如浆糊或胶水）时，进行稳定的芯片连接仍然存在问题。

发明内容

实施方式是一种将金属表面附着到载体的方法，该方法包括：在金属表面上形成第一聚合物层；在载体的表面上形成第二聚合物层；并且使第一聚合物层与第二聚合物层物理接触，从而在第一聚合物层和第二聚合物层之间形成互相渗透的聚合物结构和互相扩散的聚合物结构中的至少一种。

附图说明

在附图中，在不同示图之间一般用相似的参考符号表示相同的部分。附图没有必要成比例、强调，而是总体上基于说明本发明的原理而设置。在以下说明中，本发明的各实施方式通过参考以下附图进行了描述，其中：

图1示出了根据实施方式的将表面（例如金属表面）附着到载体的方法。

图2A到图2G示出了根据实施方式的将表面（例如金属表面）附着到载体的方法。

图3示出了根据实施方式的将芯片附着到芯片载体的方法。

图4A到图4B示出了根据实施方式的封装模块。

图5A到图5B示出了根据实施方式的芯片封装模块。

图6示出了在芯片表面上的聚酰亚胺包覆层的超声波图像。

具体实施方式

下面的详细说明参考附图，以举例方式示出了可以实现本发明的具体细节和实施方式。

本文使用的词汇“示例性”意为“用作示例、实例或说明”。本文中描述为“示例性”的任何实施方式或设计不应理解为比其他实施方式和设计优选或者更好。

通过在芯片载体上和在芯片背侧涂布薄的聚合物层，使之能够进行稳定的芯片附着，以及包覆层与芯片载体的稳定连接。

本文中用于描述在一侧或表面“上”形成层的用语“上”，可以用于表示该层“直接”形成于所述侧或表面“之上”，例如与所述侧或表面直接接触。本文中用于描述在一侧或表面“上”形成层的用语“上”，也可以用于表示该层“间接”形成于所述侧或表面“之上”，其中一个或多个附加层配置于所述侧或表面与所形成的层之间。

图1示出了用于将金属表面附着到载体的方法100，该方法包括：在金属表面上形成第一聚合物层（110）；在载体的表面上形成第二聚合物层（120）；以及使第一聚合物层与第二聚合物层物理接触，从而在第一聚合物层和第二聚合物层之间形成互相渗透的聚合物结构和互相扩散的聚合物结构中的至少一种（130）；

图2A到图2G示出了根据各实施方式的将表面202（例如金属表面202）附着到载体206的方法。

图2A示出了图示200，根据方法100，其中方法100包括在表面202（例如金属表面202）上形成第一聚合物层204（如110中所示）。表面202（例如金属表面202）可以是结构212（例如芯片）的表面。图2B示出了图示202，根据方法100，其中方法100包括在载体206的表面222上形成第二聚合物层208（如120）。第一聚合物层204和第二聚合物层208可以分别在其各表面202、222上通过诸如旋转涂布、溅射、化学气相沉积的沉积技术而形成。可以通过旋转涂布获得至少1μm的聚合物层厚度。可以通过溅射沉积或化学气相沉积CVD获得100nm以上5μm以下的聚合物层厚度。

第一聚合物层204可以具有从约100nm到约100μm、例如从约500nm到约50μm、例如从约1μm到约10μm的厚度。第二聚合物层204可以具有从约100nm到约100μm、例如从约500nm到约50μm、例如从约1μm到约10μm的厚度。第一聚合物层204（或第二聚合物层208）可以具有小于第二聚合物层208（或第一聚合物层204）的厚度。第一聚合物层204（或第二聚合物层208）可以具有小于约10μm的厚度而第二聚合物层208（或第一聚合物层204）可以具有小于约100μm的厚度。