[发明专利]互连结构的形成方法无效
| 申请号： | 201210217264.3 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102751236A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 孔秋东;简中祥;杨熙 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有介质层、以及形成于介质层中的通孔；
通过化学气相沉积工艺在所述通孔底部和侧壁上沉积粘附层；
进行加热处理；
在所述通孔中的粘附层上沉积金属材料，直至填满所述通孔，形成金属互连线。
2.如权利要求1所述的互联结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材质为低k材料或超低k材料。
3.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述粘附层的材质为氮化钛。
4.如权利要求3所述的互连结构的形成方法，其特征在于，以四二甲基胺钛为原料沉积所述粘附层。
5.如权利要求3或4所述互连结构的形成方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺在所述通孔底部和侧壁上沉积粘附层时，所述化学气相沉积的具体参数包括：压强在1～10mTorr范围内，温度在350～450℃范围内。
6.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述粘附层的厚度在115～135nm范围内。
7.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述加热处理的加热气体为惰性气体或氮气，加热的温度在350～450℃范围内，加热的时间在10～90s范围内。
8.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺在所述通孔中的粘附层上沉积金属材料，直至填满所述通孔，形成金属互连线。
9.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述金属互连线的材质为钨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210217264.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：节能高效型双列闭式钢片综
- 下一篇：鱼道结构及集鱼方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
