[发明专利]焊盘对称30瓦28dB衰减片

说明书

技术领域

本发明涉及一种衰减片，特别涉及一种焊盘对称30瓦28dB衰减片。

背景技术

目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片则只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地作出判断，对设备没有保护作用。集合了三种电阻设计的衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。

由于氮化铝陶瓷仍然属于新兴行业，故在产品线上没有呈现多样化的格局。同时市场上存在的衰减片其衰减精度大多只能做到1G频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制。而市场对衰减精度的要求很高，我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。目前市场上的衰减片当使用频段高于2G时，其衰减精度达不到要求，回波损耗变大，满足不了2G以上的频段应用要求。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50±1.5Ω，在3G频段以内衰减精度为28±1dB，驻波要求输入端在1.2以内，输出端在1.25以内，能够满足目前3G网络的应用要求的氮化铝陶瓷基板30瓦28dB衰减片。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种焊盘对称30瓦28dB衰减片，其包括一氮化铝基板，所述陶瓷衰减片背面印刷有银浆背导层正面印刷有导线及焊盘，所属背导体层和所述导线及焊盘需进行高温金属化，所述导线由膜状电阻连接而成，形成衰减电路。所述陶瓷衰减片需要进行电镀锡处理，以保护银层及提高焊锡性。

优选的，氮化铝基板采用低热膨胀系数材料。

优选的，电镀锡采用耐高温镀锡层。

优选的，导线和膜状电阻上印刷有耐腐蚀保护膜。

上述技术方案具有如下有益效果：该焊盘对称30瓦28dB衰减片，采用低热膨胀系数材料，在后续焊接过程中，减少了因急速冷却而引起衰减片开裂的风险。耐高温镀锡层的采用，避免了客户焊接过程中因焊接时间较长而导致锡层表面氧化进而难焊接的问题，更好地取代了电镀银工艺，既环保又降低了成本。耐腐蚀保护膜的采用，使得衰减片能适应各种使用环境。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。

如图1所示，该焊盘对称30瓦28dB衰减片包括一氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有背导层，氮化铝基板1的正面印刷有导线2及电阻R1、R2、R3，电阻R1、R2、R3通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氮化铝基板的中心线对称，衰减电路的输出端与一焊盘5连接，输入端与一焊盘6连接，两个焊盘5、6沿氮化铝基板的中心线对称。电阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保护膜3，导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层耐腐蚀保护膜4，这样可对导线2及电阻R1、R2、R3形成保护。

该焊盘对称30瓦28dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50±1.5Ω，输出端和接地端的阻抗为50±1.5Ω。信号输入端进入衰减片，经过电阻R1、R3、R垃对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号，

该焊盘对称30瓦28dB衰减片，采用低热膨胀系数材料，在后续焊接过程中，减少了因急速冷却而引起衰减片开裂的风险。耐高温镀锡层的采用，避免了客户焊接过程中因焊接时间较长而导致锡层表面氧化进而难焊接的问题，更好地取代了电镀银工艺，既环保又降低了成本。耐腐蚀保护膜的采用，使得衰减片能适应各种使用环境。

以上对本发明实施例所提供的一种氮化铝陶瓷基板30瓦28dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。