[发明专利]一种低相位噪音锁相介质振荡器

权利要求书

1.一种低相位噪音锁相介质振荡器，其特征在于：由参考源（11）、模拟鉴相器（12）、环路滤波器（13）、同轴介质压控振荡器（14）、功率耦合器（15）、带通滤波器（16）、功率放大器（17）、输出滤波器（18）构成；同轴介质压控振荡器（14）输出信号经功率耦合器（15）反馈后与参考源（11）输入信号在模拟鉴相器（12）中进行相位比较得到相位差；相位差产生电压输入环路滤波器（13）滤波后，进入同轴介质压控振荡器（14）进行频率调整后得到高稳定的频率信号输出，高稳定的频率信号进入功率耦合器（15）后再输入到带通滤波器（16），带通滤波器（16）选出所需的频率信号后输出，选出的频率信号经功率放大器（17）放大后再通过输出滤波器（18）输出。

2.按照权利要求1所述的低相位噪音锁相介质振荡器，其特征在于：该介质振荡器的内部电路，包括锁相环电路板（21）、放大滤波电路板（22）、腔体（23）、SMA接头（24）、穿心电容（25）、绝缘子内导体（26）及盖板（28）；所述锁相环电路板（21）及放大滤波电路板（22）均设于所述腔体（23）内部；所述SMA接头（24）及穿心电容（25）设于所述腔体的一端外侧；所述绝缘子内导体（26）设于腔体（23）内，且所述绝缘子内导体（26）两端分别连接锁相环电路板（21）及放大滤波电路板（22）；在锁相环电路板（21）上设有同轴介质谐振器（29）及薄膜电容（20）；盖板（28）覆盖在腔体顶面上。

3.按照权利要求2所述的低相位噪音锁相介质振荡器，其特征在于：所述薄膜电容（20）为高Q值薄膜电容。

4.按照权利要求2或3所述的低相位噪音锁相介质振荡器，其特征在于：所述SMA接头（24）、锁相环电路板（21）及放大滤波电路板（22）均通过螺钉连接于所述腔体（23）上。

5.按照权利要求4所述的低相位噪音锁相介质振荡器，其特征在于：所述盖板（28）与所述腔体（23）顶端焊接。

6.按照权利要求5所述的低相位噪音锁相介质振荡器，其特征在于：所述同轴介质谐振器（29）与薄膜电容（20）均焊接在所述锁相环电路板（21）上。