[发明专利]延迟时间可调的芯片过流保护电路

权利要求书

1.一种延迟时间可调的芯片过流保护电路，其特征是，包含前沿消隐LEB模块和过流比较器两部分，采样到的开关管DRV电流通过电阻转换为电压，通过前沿消隐模块，经过一段时间的延迟后，采样电压传递到比较器正端，当电压大于比较器参考电压Vref时，比较器输出ocp为高电平，比较器输出ocp控制开关管DRV为低电平，即出现过流情况时，比较器输出ocp控制开关管DRV断开，使电流下降，当过流情况消失时，过流信号自动解除。

2.如权利要求1所述的延迟时间可调的芯片过流保护电路，其特征是，前沿消隐模块的结构为：由电流源、NMOS管N1、电容C、反相器、传输管组成，电流源输出经B点连接到NMOS管N1漏极，NMOS管N1源极、漏极间为电容C，B点经一个反相器连接到A点，A点连接到传输管一个控制端，A点经另一个反相器连接到传输管另一个控制端，DRV通过反相器连接到NMOS管N1栅极，DRV＝0时，即开关管断开时，此时NMOS管N1导通，从而传输管断开，Vin为低电平，即开关管断开时，其电流为0，而电感放电，电感电流减小，不会出现过流情况；DRV＝1时，开关管闭合，此时NMOS管N1断开，电流源给电容C充电，经过延迟时间后，B点电压充电到NMOS管N1导通阈值，从而使传输管导通，将采样电压Vcs传递给Vin；通过改变NMOS管N1宽长比以调节镜像的电流大小或者改变电容值可实现延迟时间可调。

3.如权利要求1所述的延迟时间可调的芯片过流保护电路，其特征是，过流比较器结构为：输入电压Vin、参考电压Vref分别连接到一对差分MOS管的栅极，差分放大器经反相器进行输出，当输入电压Vin大于参考电压Vref时，即出现过流时，经过反相器整形，比较器输出ocp为高电平，该过流信号通过DRV信号控制开关管断开，使电流减小。当过流情况消失时，即检测到采样电压Vin小于参考电压Vref时，过流信号ocp为低电平，过流自动解除。