[发明专利]发光二极管封装方法有效

专利信息
申请号: 201210220867.9 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN103515368B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 林厚德 申请(专利权)人: 泰州市智谷软件园有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50
代理公司: 北京高航知识产权代理有限公司 11530 代理人: 赵永强
地址: 225599 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装方法,包括以下步骤:

步骤一,提供一具有多个通孔的板材,所述通孔贯穿板材的上、下表面;

步骤二,在板材的下表面设置蓝膜,使蓝膜覆盖各通孔在板材下表面一侧的开口,以使蓝膜与通孔内壁共同形成朝向板材上表面开口的凹槽;

步骤三,从板材的上表面一侧向凹槽内注入混有荧光物质的胶体;

步骤四,使胶体中的荧光物质沉淀至凹槽底部的蓝膜上;以及

步骤五,向每个凹槽内嵌设发光二极管晶粒并使该发光二极管晶粒位于凹槽内的顶部位置;

步骤六,去除蓝膜并切割板材以得到多个分离的发光二极管封装体。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述步骤一提供的板材的各通孔在板材上、下表面处分别形成椭圆形开口,所述通孔的口径自下表面向上表面逐渐缩小。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述步骤一和步骤二之间还包括步骤:在通孔内壁上形成反光层。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述步骤二和步骤三之间还包括步骤:在通孔内壁上形成反光层。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述步骤三向凹槽中注入的胶体在凹槽内的高度小于凹槽的深度。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述步骤四和步骤五之间还包括步骤:用透明胶体填满凹槽内未被混有荧光物质的胶体填满的空间。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述步骤五是将发光二极管晶粒嵌入所述透明胶体内。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述步骤四采用重力沉降的方法使胶体中的荧光物质沉淀至凹槽底部的蓝膜上。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述步骤四采用离心沉降的方法使胶体中的荧光物质沉淀至凹槽底部的蓝膜上。

10.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述步骤五向每个凹槽内嵌设的发光二极管晶粒事先设置在一具有电路结构的基板上并电连接至电路结构。

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