[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管有效

申请号：	201210223163.7	申请日：	2012-06-29
公开（公告）号：	CN102723367A	公开（公告）日：	2012-10-10
发明（设计）人：	陈红;邱勇;黄秀颀;魏朝刚	申请（专利权）人：	昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/45;H01L29/47
代理公司：	北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250	代理人：	彭秀丽
地址：	215300 江苏省苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种氧化物半导体薄膜晶体管
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【权利要求书】：

1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板（101）和顺次设置在所述基板（101）上的栅电极（102）、绝缘介质层（103）以及氧化物半导体沟道层（104），所述绝缘介质层（103）使得所述栅电极（102）和所述氧化物半导体沟道层（104）绝缘，所述氧化物半导体沟道层（104）的上表面设置漏电极（201）和源电极（202），所述漏电极（201）和所述源电极（202）之间的间隙为d₁，所述源电极（202）与所述栅极（102）在水平方向上的重叠区域的长度为d₂，所述源电极（202）与所述氧化物半导体沟道层（104）间的接触是肖特基接触，所述漏电极（201）与所述氧化物半导体沟道层（104）间的接触是欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述漏电极（201）和所述源电极（202）之间的间隙d₁的范围是1～20μm。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：在所述源电极（202）和所述漏电极（201）之间位于所述氧化物半导体沟道层（104）上的位置设置与所述半导体氧化物沟道层（104）贴合的刻蚀阻挡层（301），所述刻蚀阻挡层（301）的长度比所述源电极（202）和所述漏电极（201）之间的间隙d₁大1～5μm。

4.根据权利要求3所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述刻蚀阻挡层（301）为背沟道刻蚀型结构或阻挡刻蚀型结构中的一种。

5.根据权利要求4所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述刻蚀阻挡层（301）与所述氧化物半导体沟道层（104）贴合的另一面设置钝化层。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述钝化层的厚度为100-400nm。

7.根据权利要求1-6中任一项所述氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述基板（101）由单晶硅、玻璃或者柔性衬底制成。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：

在所述基板（101）和所述栅极（102）之间设置一层缓冲层。

9.根据权利要求8所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述缓冲层的厚度为100-400nm。

10.根据权利要求8或9所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述缓冲层由SiO₂和/或Si₃N₄组成。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述栅电极（102）由Mo、MoW、n++Si、T、Al或者ITO中的任一种制成。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘介质层（103）由SiO₂、Si₃N₄或Al₂O₃中的一种或多种制成。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述氧化物半导体沟道层（104）由IGZO、IGO、ZTO、GZO、ZnO、In₂O₃、Cu₂O或SnO₂中的一种或多种制成。

14.根据权利要求3-13中任一项所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述刻蚀阻挡层（301）由SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Al₂O₃或ZTSO中的一种或多种制成。