[发明专利]一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法

权利要求书

1.一种封装薄膜，包括至少两个氧化物层（1）和位于相邻所述氧化物层（1）之间的至少一有机物层（2），其特征在于：在最内层的所述氧化物层（1）和所述有机物层（2）之间设置一缓冲层（3），所述缓冲层（3）的厚度在50nm-1μm之间。

2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于：所述缓冲层（3）的内部分布有若干个均匀和/或非均匀分布的Bi原子团簇（4），所述Bi原子团簇（4）至少在一个方向上的长度为5-35nm，相邻所述Bi原子团簇（4）的间隙小于50nm。

3.根据权利要求2所述的封装薄膜，其特征在于：若干所述Bi原子团簇（4）均匀分布。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的封装薄膜，其特征在于：所述Bi原子团簇（4）为球形。

5.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于：所述缓冲层的内部分布有若干个均匀和/或非均匀分布的孔洞（5），所述孔洞（5）至少在一个方向上的长度为5-35nm，相邻所述孔洞（5）之间的间隙小于50nm。

6.根据权利要求5所述的封装薄膜，其特征在于：若干所述孔洞（5）均匀分布。

7.根据权利要求6所述的封装薄膜，其特征在于：所述孔洞（5）为球形。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的封装薄膜，其特征在于：所述缓冲层（3）由Si₃N₄、SiO₂或者TiO₂中的一种或多种复合形成。

9.根据权利要求8所述的封装薄膜，其特征在于：所述缓冲层（3）由Si₃N₄、SiO₂或者TiO₂中的一种或多种复合为网状形成。

10.根据权利要求2-9任一所述的封装薄膜，其特征在于：所述Bi原子团簇4的总的原子体积比占所述缓冲层3的总体积的20-50%。