[发明专利]基板处理装置无效
申请号: | 201210224073.X | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102891094A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 儿玉宗久;宫崎一仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
平流搬运路径,其用来在水平的第一方向平流地搬运被处理基板;
第一处理室,其容纳所述平流搬运路径的第一区间,且具有在所述平流搬运路径上搬运的所述基板能够通过的入口和出口;
一个或多个第一喷嘴,其在所述第一处理室内,向所述平流搬运路径上的所述基板喷洒处理液;
第一分隔板,其比所述第一喷嘴更位于上方,将所述第一处理室的室内空间纵向分隔成上部空间与下部空间;
第一开口和第二开口,所述第一开口形成于所述第一分隔板与所述第一处理室的壁之间,所述第二开口形成于所述第一分隔板中;
第二分隔板,其将所述第一处理室的上部空间横向分隔成:与所述第一开口连接的第一排气空间和与所述第二开口连接的第二排气空间;和
排气部,其与所述第一排气空间和所述第二排气空间连接。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口在与所述第一方向交叉的第二方向上排列成一列或多列地配置。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口的至少一个具有在所述第二方向上长长地延伸的一个或多个狭缝开口。
4.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口作为所述第一处理室的设置有所述入口的第一壁或设置有所述出口的第二壁与所述第一分隔板的一个侧面之间的间隙而形成。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:
夹着所述第一壁或者第二壁与所述间隙相对的所述第一分隔板的边缘部向上翘曲。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一分隔板的边缘部成圆弧状地向上翘曲。
7.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口的至少一个在所述第一分隔板穿孔。
8.如权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一开口和所述第二开口在所述第一方向上形成于所述第一分隔板的中心部。
9.如权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述第一方向上,所述第一分隔板的中心部与周边部相比成锥状地增高。
10.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述第一处理室的与所述平流搬运路径平行地相对的第三壁设置有第一排气口和第二排气口,用来将所述第一排气空间和第二排气空间分别与所述排气部单独连接。
11.如权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第二分隔板在纵向从所述第一分隔板延伸至所述第一处理室的顶板,在横向从所述第三壁向与其相对的第四壁延伸并在中间的规定位置终止。
12.如权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第二分隔板,在横向上从所述第三壁向所述第四壁直至所述中间的规定位置附近,在所述第一分隔板的上方与所述第一分隔板平行地笔直地延伸,在所述中间的规定位置附近,向与所述第一方向相同的方向或者相反的方向折曲,其折曲部的前端与所述第一处理室的设置有所述入口的第一壁或者设置有所述出口的第二壁抵接或者接近。
13.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述排气部具有流量控制部,该流量控制部用来单独地调节所述第一排气空间和所述第二排气空间中的排气流量。
14.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一方向上的所述第一开口和所述第二开口的尺寸为所述第一处理室的入口至出口的距离的1/3以下。
15.如权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一分隔板与所述第二分隔板一体地结合,以能够装卸的方式安装于所述第一处理室。
16.如权利要求15所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一处理室的顶板以能够开闭的方式构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造