[发明专利]基板处理装置无效
申请号: | 201210224073.X | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102891094A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 儿玉宗久;宫崎一仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种向被处理基板喷洒处理液并进行规定的处理的基板处理装置,特别是平流方式的基板处理装置。
背景技术
最近几年,在平板显示器(FPD)制造中的抗蚀剂涂敷显影处理系统中,作为能够很好地适应被处理基板(例如玻璃基板)的大型化的清洗方法,多采用一种所谓的平流方式,在沿着水平方向铺设搬运辊(滚子)和搬运带而成的搬运路径上搬运基板,并进行清洗处理。这种平流方式与使基板旋转运动的旋涂方式相比,具有基板的处理和搬运系统和驱动系统的结构简单等优点。
平流方式的清洗处理装置典型地来讲,沿着平流搬运路径,配置擦洗(scrubbing)用的辊刷、吹洗用的高压喷嘴、冲洗用的冲洗喷嘴、除液干燥用的气刀等清洗工具。清洗液和冲洗液等的气雾笼罩在这些清洗工具的周围,因此,在各处设置排气口的密闭度高的腔室内进行这些一系列的清洗处理和除液干燥处理。在此情况下,在腔室中设置基板能够平流地通过的入口和出口,外部的空气通过这些开口(入口/出口)被吸到腔室中。在腔室内产生的气雾与从外面进入的空气一同从排气口被送往腔室外的排气系统。
专利文献1:日本特开2008-159663
专利文献2:日本特开2007-300129
发明内容
发明要解决的课题
目前,在这种清洗处理装置中,要解决的课题是在腔室内产生的气雾不希望地扩散并再次附着于基板。特别是在清洗工具中,吹洗用的高压喷嘴(或者是高压喷雾嘴)产生最多的气雾,从此处沿着平流 搬运路径扩散的气雾容易再次附着在基板上。因此,利用隔壁分隔腔室内的处理空间,按照各个工艺(刷洗、吹洗、冲洗、除液干燥)形成各个处理室。
在此情况下,如果在处理室的顶部设置排气口,那么,在各个清洗工具的周围产生的气雾就会迅速地被吸入顶部的排气口,所以,能够防止或抑制沿着平流搬运路径的气雾的不希望的扩散。但是,在处理室的顶部设置排气口的结构将会明显地破坏清洗工具的维护性,因此,难以在实际中采用。即,由于清洗工具需要频繁维修,所以,优选采用能够任意开闭处理室的顶板的结构。然而,如果在处理室的顶部设置排气口,那么,由于排气系统的配管和闸等被安装在顶板上,因此,无法任意地开闭顶板。
根据以上的情况,通常在处理室的背面设置排气口。在此情况下,在各个清洗工具的周围产生的气雾被吸入处理室背面的排气口。但是,在这种背面排气方式中,气雾的排气在处理室内大幅不均是一个问题。即,在处理室内,靠近排气口的腔室背面侧的区域的排气力(压力差)大,气雾不会滞留而是被排出。但是,远离排气口的处理室正面侧的区域的排气力(压力差)小,气雾容易滞留。滞留的气雾通过隔壁的基板出入口进入相邻的处理室中,再次附着于基板。特别是,在吹洗室内产生的气雾进入下游侧的冲洗处理室和除液干燥室内容易附着于基板,由此,对基板的表面产生不利影响,成为成品率下降的原因。因此,也要进一步提高设置于吹洗室中的排气口的排气能力,但是尽管伴随排气系统的大型化、高输出化,气雾排气能力或者排气效率并没有太大改善是其现状。
本发明就是为了解决上述的现有技术的问题点,提供一种基板处理装置,确保容易产生气雾的处理室的维护性并且提高室内的排气效率和排气能力的均一性。
用于解决课题的方法
本发明的基板处理装置包括:平流搬运路径,其用来在水平的第一方向平流地搬运被处理基板;第一处理室,其容纳所述平流搬运路径的第一区间,且具有在所述平流搬运路径上搬运的所述基板能够通过的入口和出口;一个或多个第一喷嘴,其在所述第一处理室内,向 所述平流搬运路径上的所述基板喷洒处理液;第一分隔板,其比所述第一喷嘴更位于上方,将所述第一处理室的室内空间纵向分隔成上部空间与下部空间;第一开口和第二开口,所述第一开口形成于所述第一分隔板与所述第一处理室的壁之间,所述第二开口形成于所述第一分隔板中;第二分隔板,其将所述第一处理室的上部空间横向分隔成:与所述第一开口连接的第一排气空间和与所述第二开口连接的第二排气空间;和排气部,其与所述第一排气空间和所述第二排气空间连接。
在上述装置结构中,在处理室内利用第一喷嘴向平流搬运路径上的基板喷洒处理液,于是,气雾笼罩在第一喷嘴的周围。此处,来自排气部的负压吸引力从第一和第二排气空间经由第一和第二开口到达处理室内,由此,在第一喷嘴的周围产生的气雾与从处理室的入口和出口进入的空气一同流向上方并通过第一和第二开口。通过第一开口的包含气雾的排气流通过第一排气空间被送往排气部。另一方面,通过第二开口的包含气雾的排气流通过第二排气空间被送往排气部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造