[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板表面上淀积第一金属层，图案化所述第一金属层，形成薄膜晶体管的栅极；

在所述栅极和基板表面上淀积第一栅极绝缘层，图案化所述第一栅极绝缘层，在栅极上方区域形成第一栅极绝缘层开口；

在所述栅极和第一栅极绝缘层表面上淀积第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层表面上淀积半导体层，图案化所述半导体层，形成硅岛，且所述硅岛位于所述栅极上方区域；

在所述硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积第二金属层，图案化所述第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于，所述图案化所述第一金属层的过程，具体包括：

利用第一掩膜版图案化所述第一金属层。

3.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于，图案化所述第一栅极绝缘层，形成第一栅极绝缘层开口的过程，具体包括：

在所述第一栅极绝缘层表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层；

利用第二掩膜版进行曝光，然后显影、成膜，使第一光刻胶层上形成与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口；

以形成有与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口的第一光刻胶层作为掩膜，对所述第一栅极绝缘层进行刻蚀，形成第一栅极绝缘层开口；

去除所述第一光刻胶层。

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，图案化所述半导体层，形成硅岛的过程，具体包括：

在所述半导体层表面上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层；

利用第三掩膜版进行曝光，然后显影、成膜，使第二光刻胶层上形成与所述硅岛图形一致的覆盖层；

以形成有与所述硅岛图形一致的覆盖层的第二光刻胶层作为掩膜，对所述半导体层进行刻蚀，形成硅岛。

5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述第一光刻胶为正性光刻胶，则所述第一光刻胶层为正性光刻胶层。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述第二光刻胶为负性光刻胶，则所述第二光刻胶层为负性光刻胶层。

7.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述第一光刻胶为负性光刻胶，则所述第一光刻胶层为负性光刻胶层。

8.根据权利要求7所述方法，其特征在于，所述第二光刻胶为正性光刻胶，则所述第二光刻胶层为正性光刻胶层。

9.根据权利要求6或8所述方法，其特征在于，所述第二掩膜版与第三掩膜版相同。

10.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述第一光刻胶为负性光刻胶，则所述第一光刻胶层为负性光刻胶层。

11.根据权利要求10所述方法，其特征在于，所述第二光刻胶为负性光刻胶，则所述第二光刻胶层为负性光刻胶层。

12.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述第一光刻胶为正性光刻胶，则所述第一光刻胶层为正性光刻胶层。

13.根据权利要求12所述方法，其特征在于，所述第二光刻胶为正性光刻胶，则所述第二光刻胶层为正性光刻胶层。

14.据权利要求11或13所述方法，其特征在于，所述第二掩膜版与第三掩膜版相反。

15.根据权利要求1所述方法，其特征在于，图案化所述第二金属层的过程，包括：

利用第四掩膜版图案化所述第二金属层。

16.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述硅岛与所述第一绝缘层开口正对，且大小形状一致。

17.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1~16任意一项所述薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管的数据线、源极、漏极、硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积钝化层，图案化所述钝化层，形成接触孔；

在所述钝化层表面上淀积透明导电层，图案化所述透明导电层，形成像素电极，且所述像素电极通过接触孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

18.根据权利要求17所述制作方法，其特征在于，图案化所述钝化层的过程，具体包括：

利用第五掩膜版图案化所述钝化层。