[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管。

背景技术

信息化社会越来越需要轻薄便携式的显示设备，而当前最成熟的产品就是液晶显示装置（Liquid Crystal Display，LCD）了。液晶显示器是由液晶面板与背光模组组成。其中，液晶面板是由阵列基板、彩色滤光基板以及位于两基板之间的液晶层组成，并且借助于彩色滤光板将可以达到全彩化的显示效果。

所述阵列基板上包括薄膜晶体管阵列，如图1和图2所示，现有的液晶显示装置包括：一玻璃基板100，在所述玻璃基板100表面上设置有栅极110和扫描线111，在栅极110、扫描线111和玻璃基板100表面上覆盖有栅极绝缘层120，在栅极绝缘层120表面上设置有硅岛，所述硅岛由第一半导体131和第二半导体132组成，在所述硅岛和栅极绝缘层120表面上设置有数据线140以及数据线140延伸到硅岛表面上的源极和漏极，所述源极与所述数据线140电连接，在所述数据线140和硅岛表面上覆盖有钝化层150，所述钝化层150内设置有接触孔，在所述钝化层150表面上设置有像素电极160，所述像素电极160通过接触孔与所述漏极电连接。

其制作流程为5掩膜版工艺，即：

提供玻璃基板100，在玻璃基板100上形成第一金属层，利用第一掩膜版对第一金属层进行刻蚀，形成栅极110和扫描线111；

在玻璃基板100、扫描线111和栅极110表面上依次沉积栅极绝缘层120，第一半导体131层和第二半导体132层，利用第二掩膜版对第一半导体131层和第二半导体132层进行刻蚀，形成硅岛；

在硅岛和栅极绝缘层120表面上沉积第二金属层，利用第三掩膜版对第二金属层和硅岛进行刻蚀，形成数据线140以及薄膜晶体管的源极和漏极；

在数据线140和硅岛表面上沉积钝化层150，利用第四掩膜版对钝化层150进行刻蚀，形成接触孔；

在钝化层150表面上沉积透明导电层，利用第五掩膜版对透明导电层进行刻蚀，形成像素电极160。

所述栅极110、源极、漏极和硅岛构成薄膜晶体管，当栅极110上方的栅极绝缘层120厚度减小时，可以提高晶体管的驱动能力，在固定电压下可提高电流强度。

但因数据线140与扫描线111的交叠区域，并且在数据线140与扫描线111之间有栅极绝缘层120，则数据线140与扫描线111以及二者之间的栅极绝缘层120会形成寄生电容，如果数据线140与扫描线111的交叠区域处的栅极绝缘层厚度减小时会增大驱动薄膜晶体管的集成电路IC的负载，使驱动集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制作方法和薄膜晶体管，以解决现有的液晶显示装置在减小数据线与扫描线的交叠区域处栅极绝缘层的厚度时会增大驱动集成电路IC的负载，使驱动集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟的问题。

该薄膜晶体管的制作方法，包括：

提供一基板；

在所述基板表面上淀积第一金属层，图案化所述第一金属层，形成薄膜晶体管的栅极；

在所述栅极和基板表面上淀积第一栅极绝缘层，图案化所述第一栅极绝缘层，在栅极上方区域形成第一栅极绝缘层开口；

在所述栅极和第一栅极绝缘层表面上淀积第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层表面上淀积半导体层，图案化所述半导体层，形成硅岛，且所述硅岛位于所述栅极上方区域；

在所述硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积第二金属层，图案化所述第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极。

优选的，所述图案化所述第一金属层的过程，具体包括：

利用第一掩膜版图案化所述第一金属层。

优选的，图案化所述第一栅极绝缘层，形成第一栅极绝缘层开口的过程，具体包括：

在所述第一栅极绝缘层表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层；

利用第二掩膜版进行曝光，然后显影、成膜，使第一光刻胶层上形成与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口；

以形成有与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口的第一光刻胶层作为掩膜，对所述第一栅极绝缘层进行刻蚀，形成第一栅极绝缘层开口；

去除所述第一光刻胶层。

优选的，图案化所述半导体层，形成硅岛的过程，具体包括：

在所述半导体层表面上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层；