[发明专利]CMOS管的形成方法

权利要求书

1.一种CMOS管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和与之相隔的第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面具有第一伪栅极结构，所述第二区域的半导体衬底表面具有第二伪栅极结构；

在所述第一伪栅极结构表面形成第一无定型硅层；

形成位于所述半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层暴露出第一无定型硅层和第二伪栅极结构表面；

待形成层间介质层后，采用湿法刻蚀工艺去除所述第二伪栅极结构，形成第二开口；

在所述第二开口内形成第二栅极结构；

去除第一伪栅极结构和第一无定型硅层，形成第一开口；

在所述第一开口内形成第一栅极结构。

2.如权利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一无定型硅层的形成工艺为离子掺杂工艺。

3.如权利要求2所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂工艺的工艺参数范围为：能量为10千电子伏~100千电子伏，离子剂量为3E14原子数/平方厘米~2E15原子数/平方厘米。

4.如权利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一无定型硅层的厚度大于等于50埃。

5.如权利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一无定型硅层的厚度为50埃-200埃。

6.如权利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的化学试剂为四甲基氢氧化氨或氨水。

7.如权利要求6所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，当采用四甲基氢氧化氨作为化学试剂时，所述湿法刻蚀工艺的工艺参数范围为：温度为15~70摄氏度，时间为20~500秒。

8.如权利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，当所述第一区域用于形成NMOS管，所述第二区域用于形成PMOS管时，还包括：在采用掺杂工艺在所述第一伪栅极结构表面形成第一无定型硅层的同时，在所述第一伪栅极结构两侧的半导体衬底内掺杂形成第二无定型硅层。

9.如权利要求8所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，还包括：待形成第二开口后，对所述第二无定型硅层进行退火处理，形成具有位错的单晶硅层。

10.如权利要求9所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第二无定型硅层产生位错的界面与半导体衬底表面之间的夹角为30度-60度。

11.如权利要求9所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述退火处理采用的退火气体为氦气、氮气、氨气、氢气或氘气。

12.如权利要求9所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数范围为：温度为500摄氏度-700摄氏度，退火时间为10分钟-60分钟。

13.如权利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述第一区域的半导体衬底表面和第一伪栅极结构侧壁的第一刻蚀阻挡层；形成覆盖所述第二区域的半导体衬底表面和第二伪栅极结构侧壁的第二刻蚀阻挡层。

14.如权利要求13所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的形成工艺为等离子体沉积工艺，所述等离子体沉积工艺采用的反应气体为氨气、氮气和硅烷。

15.如权利要求14所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述氨气占总的反应气体的体积百分比为10-15%，氮气占总的反应气体的体积百分比为2-6%，硅烷占总的反应气体的体积百分比为79-88%。

16.如权利要求14所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述等离子体沉积工艺的工艺参数范围为：反应压强为0.08帕-0.2帕，反应温度为300摄氏度-400摄氏度，射频功率为50瓦-100瓦，射频频率为10兆赫兹~20兆赫兹。

17.如权利要求13所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀阻挡层的形成工艺为等离子体沉积工艺，所述等离子体沉积工艺采用的反应气体为氮气和硅烷。