[发明专利]半导体元件与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包含:

基底，具有正面以及背面；

层间介电层，覆盖于该基底的正面上；

掩模层，覆盖于该基底背面；

硅穿孔电极，贯穿该掩模层、该基底以及该层间介电层，其中该硅穿孔电极内具有掩模层侧壁与基底侧壁，且该掩模层侧壁突出该基底侧壁预定长度；以及

衬垫层，位于该硅穿孔电极内的该基底侧壁，且该衬垫层与该掩模层有部分重叠。

2.如权利要求1的半导体元件，另包含一金属线路，位于该层间介电层上。

3.如权利要求1的半导体元件，另包含一导电层，位于该硅穿孔电极中。

4.如权利要求1的半导体元件，其中该衬垫层的一侧壁与该掩模层侧壁切齐。

5.如权利要求1的半导体元件，其中该衬垫层的一侧壁突出该掩模层侧壁。

6.如权利要求1的半导体元件，其中该掩模层侧壁突出该衬垫层的一侧壁。

7.如权利要求1的半导体元件，其中该衬垫层仅位于该基底中。

8.如权利要求1的半导体元件，其中该衬垫层与该掩模层重叠部分宽度大于10纳米。

9.如权利要求1的半导体元件，另包含一阻障层，位于该硅穿孔电极中。

10.如权利要求1的半导体元件，另包含至少一栅极结构，设置于该层间介电层中，其中该栅极结构包括金属栅极、多晶硅栅极或是虚置栅极(dummy gate)。

11.一种半导体元件制造方法，包含以下步骤:

提供一基底，该基底具有正面以及背面；

形成一层间介电层于该基底的正面上；

形成一掩模层于该基底的背面上；

蚀刻该基底背面，形成一开口贯穿该掩模层以及该基底，其中在该开口内具有掩模层侧壁与基底侧壁，该掩模层侧壁突出该基底侧壁一预定长度；

选择性沉积一衬垫层于该基底侧壁，且该衬垫层与该掩模层至少有部分重叠；

经由该开口蚀刻该层间介电层，以形成一硅穿孔，形成一硅穿孔贯穿该层间介电层；以及

形成一导电层于该硅穿孔内。

12.如权利要求11的半导体元件制造方法，其中该衬垫层与该掩模层重叠部分宽度大于10纳米。

13.如权利要求11的半导体元件制造方法，还包含形成一金属线路于该层间介电层上。

14.如权利要求13的半导体元件制造方法，其中该硅穿孔曝露出该金属线路。

15.如权利要求13的半导体元件制造方法，还包含形成一阻障层于该硅穿孔中。

16.如权利要求11的半导体元件制造方法，还包含形成至少一栅极结构于该层间介电层中。

17.如权利要求16的半导体元件制造方法，其中该栅极结构包括金属栅极、多晶硅栅极或是虚置栅极(dummy gate)。

18.如权利要求11的半导体元件制造方法，其中该开口曝露出该层间介电层。

19.如权利要求11的半导体元件制造方法，其中该衬垫层是以电化学方式或原子层沉积方式形成于该开口内的基底侧壁上。

20.如权利要求11的半导体元件制造方法，还包含形成至少一浅沟槽隔离于该基底中。