[发明专利]光转换结构和其应用的发光二极管的封装结构无效
申请号: | 201210227580.9 | 申请日: | 2012-07-02 |
公开(公告)号: | CN103187515A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 林建宪;彭耀祈;谢岷宜;陈于堂;徐达伟 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/58 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转换 结构 应用 发光二极管 封装 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管的封装结构,特别是涉及一种具有至少一微结构的光转换结构和其应用的发光二极管的封装结构。
背景技术
随着白光发光二极管(LED,Light Emitting Diode)的发光效率的提升,白光LED已成为倍受重视的新世代光源。
目前的白光LED大都由蓝色芯片激发荧光粉体形成白光,而转换成白光之后的光学品质优劣由光源的亮度、演色性、以及光源配光来评断,而光源的演色性由荧光粉体混炼的方法决定,大多是将多种波长荧光粉体混炼在一起由此增加演色性,但由于多种荧光粉体混炼在一起容易造成激发光相互吸收问题,导致发光效率不佳的问题。
再者,若由发光芯片所发射出来的光再入射到其他材料(如荧光粉层)时,因材料与环境介质间的折射系数差异,会造成入射至其他材料的光线在特定入射角下遭到全反射。这将使得LED的光萃取效率降低。
发明内容
鉴于以上的问题,本发明的目的在于提供一种具有一堆叠结构的光转换结构和发光二极管的封装结构,用于解决现有技术中由于多种荧光粉体混炼在一起容易造成激发光相互吸收,导致发光效率不佳的问题。
本发明所揭露的光转换结构,其包含第一微结构层和一堆叠结构。第一微结构层包含一第一平坦面和一第一粗糙面。一光线由第一粗糙面入射至第一微结构层,形成多个散射光,并由第一平坦面射出。堆叠结构由多个荧光粉层堆叠形成,且设置于第一微结构层的第一平坦面上,以吸收由第一微结构层的第一平坦面射出的散射光,并激发出多个激发光。
在一实施例中,本发明所揭露的发光二极管的封装结构,包含一用以发出一光线的发光芯片和一的光转换结构。光转换结构包含一第一微结构层和堆叠结构。第一微结构层包含一第一平坦面和一第一粗糙面,光线由第一微结构层的第一粗糙面入射而形成多个第一散射光,并由第一微结构层的第一平坦面射出。
堆叠结构由多个荧光粉层堆叠形成且设置于第一微结构层的第一平坦面上,以吸收由第一微结构层的第一平坦面射出的每一个散射光,并激发出多个激发光。
如此一来,光转换结构便可降低光线入射至堆叠结构时所产生的反射情形,使得光的萃取率以及出光率可以大幅提升。
有关本发明的特征、实作与功效,兹配合附图作最佳实施例详细说明如下。
附图说明
图1A为本发明一实施例的光转换结构的剖面示意图;
图1B为本发明一实施例的光转换结构的剖面示意图;
图2A为本发明一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图;
图2B为本发明一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图;
图3A为本发明一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图;
图3B为本发明一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
主要元件符号说明
10、23 第一微结构
11-13 荧光粉层
11a-13a 荧光粉体
14 第二微结构
101 第一粗糙面
102 第一平坦面
142 第二粗糙面
141 第二平坦面
131、311 表面
21、31 发光芯片
22、33 封装体
32 粘着层
D1、D2 距离
M1、M2 光转换结构
具体实施方式
请参照图1A,其为根据本发明一实施例的光转换结构的剖面示意图。本实施例的光转换结构M1包含一第一微结构层10、多个荧光粉层(如荧光粉层11至13所示,但不为本发明的限制)。荧光粉层11至13堆叠形成一堆叠结构。第一微结构层10包含一第一平坦面102和一第一粗糙面101。堆叠结构设置于第一微结构层10的第一平坦面102上。
当光线由第一微结构层10的第一粗糙面101入射至第一微结构层10中时,由于光转换结构M1内的折射率与光转换结构M1外的折射率不同,且第一粗糙面101会使光线的入射角度改变,因此光线入射至第一微结构10层后形成多个第一散射光。这些第一散射光由第一微结构层10的第一平坦面102射出。
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