[发明专利]处理基板的设备和方法有效
申请号: | 201210227992.2 | 申请日: | 2012-07-02 |
公开(公告)号: | CN102856234A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 郑恩先;金禹永;许瓒宁;朴正善 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/08 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 方法 | ||
技术领域
这里揭示的本发明涉及处理基板的设备和方法,并且更具体地,涉及使用超临界流体(supercritical fluid)处理基板的设备和方法。
背景技术
半导体器件通过包括光刻工艺的各种工艺制成,光刻工艺用于在诸如硅片等的基板上形成电路图案。当制造半导体器件时,可以产生各种外来物质,诸如微粒、有机污染物、金属杂质等等。外来物质可导致基板缺陷而对半导体器件的产量直接造成不良的影响。由此,在半导体制造工艺中可能必需包括用于移除杂质的清洗工艺。
一般来说,在典型的清洗工艺中,余留在基板上的外来物质用洗涤剂去除,然后使用去离子水(DI-水)清洗基板,使用异丙醇(IPA)干燥清洗后的基板。然而,在半导体器件具有精细的电路图案的情况中,干燥工艺可具有低效率。另外,由于电路图案的损伤,即在干燥工艺中经常发生的图案皱缩(collapse),干燥工艺不适合于具有约30nm或更小的线宽的半导体器件。
由此,为解决上述的局限,关于使用超临界流体来干燥基板的技术的研究正在积极地进行。
发明内容
本发明提供了使用超临界流体处理基板的设备和使用超临界流体处理基板的方法。
本发明还提供了用于处理基板的设备,其中用来干燥基板的超临界流体被再生(recycled),并且提供了使用超临界流体处理基板的方法。
本发明的特征不限于前述内容,本领域技术人员根据说明书和附图将清楚理解未在这里描述的其它特征。
本发明提供了一种处理基板的设备。
本发明的实施方式提供了处理基板的设备,所述设备包括:处理室,在处理室中使用被提供为超临界流体的流体溶解余留在基板上的有机溶剂以干燥基板;和再生单元(recycling unit),在所述再生单元中所述有机溶剂与从处理室排出的所述流体分离以再生所述流体。
在一些实施方式中,再生单元可包括分离模块,所述分离模块用于冷却溶解有有机溶剂的流体以将有机溶剂从所述流体中分离。
在其它的实施方式中,分离模块可以被提供多个,并且该多个分离模块可以彼此串联连接。
在又一个实施方式中,分离模块可包括:分离罐,从处理室排出的液体被引入到分离罐中;冷却构件,用于冷却分离罐;放出管,所述放出管设置在分离罐的下部中用以排出液化的且从流体分离的有机溶剂;和第一排气管,所述第一排气管设置在分离罐的上部以排出与有机溶剂分离的所述流体。
在另外的实施方式中,分离模块可进一步包括流入管,用于将从处理室排出的流体供应到分离罐的下部中。
在又一实施方式中,分离模块可进一步包括反向压力调整器,所述反向压力调整器设置在第一排气管中以不断地保持分离罐的内部压力。
在另外的实施方式中,再生单元可进一步包括柱模块,所述柱模块将用于吸收有机模块的吸收材料提供到从分离模块排出的流体中以将有机溶剂从流体分离,柱模块可以被提供多个,并且该多个柱模块可以彼此串联连接。
在又一实施方式中,柱模块可以被提供多个,并且该多个柱模块可以彼此并联连接。
在另外的实施方式中,柱模块可包括:吸收柱,用于将吸收材料提供到从分离模块排出的流体中;温度保持构件,用于不断地保持吸收柱的内部温度;和第二排气管,用于排出流体,所述吸收材料已将所述有机溶剂从所述流体中分离。
在再一个实施方式中,柱模块可进一步包括浓度传感器,该浓度传感器设置在第二排气管中以探测从第二排气管排出的流体中包含的有机溶剂的浓度。
在更进一步的实施方式中,吸收材料可包括沸石。
在更进一步的实施方式中,再生单元可包括柱模块,该柱模块将用于吸收有机模块的吸收材料提供到从处理室排出的流体中以将有机溶剂从流体中分离。
在本发明的其它实施方式中,用于处理基板的方法包括:使用被提供为超临界流体的流体溶解余留在基板上的有机溶剂以干燥基板;和将有机溶剂从流体中分离以再生所述流体。
在一些实施方式中,流体的再生可包括将溶解有有机溶剂的流体冷却以将有机溶剂从流体分离。
在其它的实施方式中,流体的再生可进一步包括将用于吸收有机溶剂的吸收材料提供到流体中以将有机溶剂从流体中分离。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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