[发明专利]一种高密度ITO蒸镀靶材的制备方法

权利要求书

1.一种高密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于工艺步骤是：

步骤一：根据成分配比要求，按照重量百分比为In₂O₃：90%～98%、SnO₂：2%～10%制备不同平均粒径的氧化铟锡粉体，粉体的平均粒径D50为30～130nm，比表面积为3～20m²/g；

步骤二：将步骤一获得的两种不同粒度分布的粉体进行湿式混合，混合12～30小时，再掺入添加剂，添加剂包括粘接剂、润滑剂、表面活性剂和分散剂，继续混合4～24小时，使有机物均匀包覆粉体；

步骤三：将经步骤二处理的掺脂ITO粉，在80～120℃进行干燥、造粒处理；

步骤四：将经步骤三处理的造粒ITO粉放入金属模具中预压成型，压力为60～140Mpa；

步骤五：将经步骤四预压成型的素坯靶材进行冷等静压压制，压力为200～350Mpa；

步骤六：将经步骤五成型的ITO素坯放入脱脂炉，在500～800℃下脱水排脂，保温4～48小时；

步骤七：将经步骤六处理的脱脂ITO素坯放入烧结炉，在常压或无压氧气氛下进行烧结，温度为1400～1700℃，时间为10～72小时；通过上述步骤，制备出高密度的ITO蒸镀靶材。

2.如权利要求1所述高密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征是：所使用的原料为锡掺杂的氧化铟纳米粉体，其相成分为In₂O₃单相结构，锡均匀掺杂于氧化铟中；ITO材料的纯度在99.99%或以上，相对密度大于99.3%。

3.如权利要求1所述高密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征是：对ITO纳米粉体原料进行分级，根据中心粒度尺寸将粉体分成3～6个等级的纳米粉体。

4.如权利要求1所述高密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征是：在步骤七中升温速率为每分钟5～12℃；烧结的气体为氧气，氧气压力为常压或无压。

5.使用如权利要求1所制备的高密度ITO蒸镀靶材，其特征是：用高密度ITO靶材进行电子束蒸发镀膜，当ITO薄膜厚度约250nm时，455nm处的透光率大于97%，方块电阻小于10Ω/sq，能够满足GaN基短波长LED透明电极的要求。