[发明专利]一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法

权利要求书

1.一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法, 其特征在于工艺步骤是：

步骤一:根据成分配比要求,按照In₂O₃：90%～98%，SnO₂：2%～10%合成锡掺杂的氧化铟粉体，粉体的平均粒径D50为50～250nm，比表面积为3～20m²/g；

    步骤二:将步骤一所述的ITO粉体置于煅烧炉内，在常压或无压氧气氛下进行预烧处理，温度为1300～1600℃，时间为3～16小时；

    步骤三:将预烧的ITO粉体进行掺脂处理，掺入的有机物包括粘接剂、脱模剂和离型剂，使有机物均匀包覆粉体；

步骤四:将掺脂ITO粉体在80～160℃进行干燥、造粒处理；

步骤五:将造粒ITO粉体放入金属模具中预压成型，压力为40～100Mpa；

步骤六:将成型的ITO素坯放入脱脂炉内，在500～800℃下脱水排脂肪，保温4～48小时；

步骤七:将经步骤六处理后的脱脂ITO素坯放入烧结炉内，在常压或无压氧气氛下进行烧结，温度为1400～1650℃，时间为8～72小时；

通过上述步骤，制备出低密度的ITO蒸镀靶材。

2.如权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征是：ITO材料的纯度在99.99%或以上，相对密度为60～64%，ITO靶材中In₂O₃的质量百分含量为90～98%，SnO₂的质量百分含量为2～10%，且In₂O₃和SnO₂的质量总和为100%。

3.如权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征是：所使用的原料为锡掺杂的氧化铟纳米粉体，其相成分为In₂O₃单相结构，锡均匀掺杂于氧化铟中。

4.如权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征是：在步骤二中所使用的ITO纳米粉体通过高温预烧进行钝化处理，使晶粒初步长大，活性降低；升温速率为每分钟1～10℃。

5.如权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征是：步骤四中的干燥方式有电热、红外和沸腾干燥。

6.如权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征是：步骤七中烧结温度1400～1650℃，升温速率为每分钟5～12℃；烧结的气体为氧气，氧气压力为常压或无压。

7.采用如权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法所制备的低密度ITO靶材进行电子束蒸发镀膜，其特征是：当ITO薄膜厚度为250nm时，455nm处的透光率大于97%，方块电阻小于10Ω/sq，能够满足GaN基短波长LED透明电极的要求。